| 主权项 |
1.一种用于产生极高频紫外线/弱X射线的方法,系利用气体放电产生,特别用于作极高频紫外线(EUV)光刻蚀,其中在一放电管(11)中设二高电压电极高,在该二电极之间在二个同轴电极凹隙(12)(13)的区域中提供一充以气体的气体空间,其气体之预定压力对应于在帕邢曲线的左分枝中造成之放电作业,在该气体空间中供以能量而形成一股发射辐射线的电浆(10),其中该电浆(10)藉着该气体空间之压力变化而在该电极凹隙(12)(13)的区域中移位及/或变形。2.如申请专利范围第1项之方法,其中:该二电极之一设计成空心阴极(14)形式,在该空心阴极中之及/或之前形成气体空间的一过压力,此过压力和其周围相较显得较高。3.如申请专利范围第2项之方法,其中:该气体空间的气体经由空心阴极(14)进入,由其电极凹隙(13)开始造成一压力降。4.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中:使用一喷嘴(26),藉之将气体空间的气体以高速喷入放电容器(11)中,使电浆(10)移位。5.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中:除了该形成电浆(10)的气体之外,将一种影响程序的充填气体(25)加入该放电管(11)中。6.如申请专利范围第5项之方法,其中:该充填气体(25)呈管状围绕着该形成电浆(10)的气体喷入该放电管(11)进去。7.一种用于生产生极高频紫外线/弱X射线的装置,该射线系利用气体放电产生,且特别用于EUV光刻蚀,该装置具有二个在一放电管(11)中受高电压的电极,该二电极二个同轴的电极凹隙(12)(13)的区域中有一气体空间,具有预定的气压,对应于该帕邢曲线的左分枝上造成的放电作业,在该气体空间中,供应能量而形成一股产生该辐射线的电浆(10),其特征在:该气体空间的气体压力在一个设计成阴极形式的电极附近系比在该放电管的一个远离此电极的区域的压力大。8.如申请专利范围第7项之装置,其中:该阴极设计成空心阴极(14),气体空间的气体经此空心阴极送入该放电管(11)中。9.如申请专利范围第7项中之装置,其中:该阴极的电极凹隙(13)有一喷嘴,可将该形成电浆(10)的气体的喷入速度提高及/或影响气体分布。10.如申请专利范围第8项之装置,其中:该电极凹隙(13)及/或该中央孔(18)设计成喷嘴形式,且/或可利用该喷嘴(26)产生一股朝向该空心阴极(14)的气体流。11.如申请专利范围第8项之装置,其中:该阴极被该呈阳极(15)作用的电极围住,二者间隔一段距离,形成一环形空间(16),且该阳极(15)的电极凹隙(12)设计成呈锥形开口。12.如申请专利范围第11项之装置,其中:利用该位在阴极与阳极(15)间的环形空间(16)可将一股充填气体(25)导入该放电管(11)中。13.如申请专利范围第12项之装置,其中:该充填气体(25)为一种可再吸收极高频紫外线的气体及/或将一电浆(10)消灭的气体。14.如申请专利范围第8项之装置,其中:该放电管外面在电极的区域主要用充填气体(25)充填。15.如申请专利范围第8项之装置,其中:该阴极的凹隙(13)的直径(d)对深度(b)的纵横比例小于1。图式简单说明:第1图显示触发电压与气体压力和电极距离的乘积的关系图,第2图以示意方式显示第一种电极设置方式,第3图以示意方式显示第二图之电极装置的不同采作方式。 |
