| 主权项 |
1.一种自单乙醇胺基材制造亚胺基双醋酸化合物之方法,该方法包括:将该单乙醇胺基材持续性或间歇性导入氰基甲基化反应区内;在该氰基甲基化反应区内持续性或间歇性使该单乙醇胺基材与氰化物源及甲醛源接触以形成含N-氰基甲基化单乙醇胺中间物之氰基甲基化产物;将得自该氰基甲基化产物之至少一部份该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物持续性或间歇性导入水解/去氰化反应区内;并在该水解/去氢化反应区内持续性或间歇性使该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物与氢氧化物源及含金属之触媒接触以形成含该亚胺基双醋酸化合物之水解/去氢化产物,其中该单乙醇胺基材具有下式:;且R1为氢,烃基,或经取代烃基。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中R1为烃基。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中R1为甲基,乙基,异丙基,基,或戊基。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中R1为甲基。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中R1为氢。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该含金属触媒包含一种选自包括镉,铜,镍,银及铝之金属。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中该含金属触媒包含铜。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中该含金属触媒于其表面处包含一种含铜活性相,并包含一种于该水解/去氢化反应条件下可抗变形之载体结构。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该载体结构包含氧化钛,氧化锆,或碳。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中该含金属触媒于该载体结构之表面处尚包含铂,钯,钌,或金。11.根据申请专利范围第8项之方法,其中该载体结构包含一种含至少15重量%非铜金属及至少10重量%铜之金属绒。12.根据申请专利范围第8项之方法,其中于该触媒表面处之该活性相含至少50重量%铜。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中该活性相含有少于1重量%非氧化亚铜之金属氧化物。14.根据申请专利范围第12项之方法,其中该活性相有少于1重量%氧化亚铜。15.根据申请专利范围第12项之方法,其中该活性相含有至少1重量%一种选自包括铬,钛,铌,钽,锆,钒,钼,锰,钨,钴,镍,铋,锡,锑,铅,锗,及其混合物之补充金属。16.根据申请专利范围第8项之方法,其中该载体结构包含一种含至少10重量%非铜金属之金属。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中该触媒包含一种金属绒。18.根据申请专利范围第16项之方法,其中该金属载体包含至少10重量%一种选自包括镍,锌,锡,钴及铁,或其组合物之非铜金属。19.根据申请专利范围第16项之方法,其中该触媒包含一种含活性相之表层,该表层之每克该载体含介于0.005与0.5克间之铜。20.根据申请专利范围第16项之方法,其中该触媒包含一种具有含铜外层沉积于其上之金属绒载体。21.根据申请专利范围第1项之方法,其中:该甲醛源包含福马林,多聚甲醛,或羟乙;且该氰化物源包含氰化氢或其盐,或羟乙。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中该氰化物源包含氰化钠或氰化钾。23.根据申请专利范围第21项之方法,其中该甲醛源及该氰化物源包含羟乙。24.根据申请专利范围第1项之方法,其中该氢氧化物源包含硷金属氢氧化物。25.根据申请专利范围第1项之方法,其中该氢氧化物源包含NaOH。26.根据申请专利范围第1项之方法,其中系于140℃至190℃反应温度下,使该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物与该氢氧化物源及该含金属触媒接触。27.根据申请专利范围第1项之方法,其中该单乙醇胺基材包含2-胺基乙醇。28.根据申请专利范围第1项之方法,其中该单乙醇胺基材包含2-胺基乙醇,该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物包含2-(N-氰基甲胺基)乙醇,且该亚胺基双醋酸化合物包含亚胺基双醋酸二钠。29.根据申请专利范围第1项之方法,其中该方法系在连续反应器系统中进行。30.根据申请专利范围第29项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。31.根据申请专利范围第30项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少2个成串之搅拌槽反应器。32.根据申请专利范围第29项之方法,其中该方法尚包括自该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物分离氰化氢及/或水,然后将该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物导入该水解/去氢化反应区内。33.根据申请专利范围第32项之方法,其中系在汽提器内使该氰化氢及/或该水自该N-氰基甲基化单乙醇胺分离出来。34.根据申请专利范围第29项之方法,其中该水解/去氢化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。35.根据申请专利范围第34项之方法,其中该水解/去氢化反应区包含至少两个成串之搅拌槽反应器。36.根据申请专利范围第1项之方法,其中该方法尚包括使该亚胺基双醋酸化合物进行膦醯甲基化反应以形成N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸或其盐。37.根据申请专利范围第36项之方法,其中该方法尚包括氧化该N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸以形成N-(膦醯甲基)甘胺酸或其盐。38.一种自单乙醇胺基材制备亚胺基双醋酸化合物之方法,该方法包括:将该单乙醇胺基材连续性或间歇性导入氰基甲基化反应区内;在该氰基甲基化反应区内,连续性或间歇性使该单乙醇胺基材与甲醛源及氰化物源接触以形成含N-氰基甲基化单乙醇胺中间物之氰基甲基化产物;将得自该氰基甲基化产物之至少一部份该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物连续性或间歇性导入水解反应区内;在该水解反应区内,连续性或间歇性使该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物与氢氧化物源接触以形成含N-(2-羟乙基)甘胺酸中间物之水解产物;将得自该水解产物之至少一部份该N-(2-羟乙基)甘胺酸中间物连续性或间歇性导入去氢化反应区内;并在该去氢化反应区内,连续性或间歇性使该N-(2-羟乙基)甘胺酸中间物与含金属触媒接触以形成含亚胺基双醋酸化合物之去氢化产物,其中该单乙醇胺基材具有下式:;且R1为氢,烃基,或经取代之烃基。39.根据申请专利范围第38项之方法,其中R1为烃基。40.根据申请专利范围第39项之方法,其中R1为甲基,乙基,异丙基,基,或戊基。41.根据申请专利范围第40项之方法,其中R1为甲基。42.根据申请专利范围第38项之方法,其中R1为氢。43.根据申请专利范围第38项之方法,其中该含金属触媒包含一种选自包括镉,铜,镍,银及铝之金属。44.根据申请专利范围第38项之方法,其中该含金属触媒包含铜。45.根据申请专利范围第44项之方法,其中该含金属触媒于其表面处含有含金属之活性相,并含有于该去氢化反应条件下可以抗变形之载体结构。46.根据申请专利范围第45项之方法,其中该载体结构包含氧化钛,氧化锆,或碳。47.根据申请专利范围第44项之方法,其中该含金属触媒于该载体结构表面尚包含铂,钯,钌,或金。48.根据申请专利范围第44项之方法,其中该载体结构包含一种含至少15重量%非铜金属及至少10重量%铜之金属绒。49.根据申请专利范围第44项之方法,其中于该触媒表面处之该活性相含至少50重量%铜。50.根据申请专利范围第49项之方法,其中该活性相含有少于1重量%非氧化亚铜之金属氧化物。51.根据申请专利范围第49项之方法,其中该活性相含有少于1重量%氧化亚铜。52.根据申请专利范围第49项之方法,其中该活性相含有至少1重量%一种选自包括铬,钛,铌,钽,锆,钒,钼,锰,钨,钴,镍,铋,锡,锑,铅,锗,及其混合物之补充金属。53.根据申请专利范围第44项之方法,其中该载体结构包含一种含至少10重量%非铜金属之金属。54.根据申请专利范围第53项之方法,其中该触媒包含一种金属绒。55.根据申请专利范围第53项之方法,其中该金属载体包含至少10重量%一种选自包括镍,锌,锡,钴,铁,或其组合物之非铜金属。56.根据申请专利范围第53项之方法,其中该触媒包括含该活性相之表层,该表层之每克该载体结构含介于0.005与0.5克间之铜。57.根据申请专利范围第53项之方法,其中该触媒包含一种具有含铜外层沉积于其上之金属绒载体。58.根据申请专利范围第38项之方法,其中:该甲醛源包含福马林,多聚甲醛,或羟乙;且该氰化物源包含氰化氢或其盐,或羟乙。59.根据申请专利范围第58项之方法,其中该氰化物源包含氰化钠或氰化钾。60.根据申请专利范围第58项之方法,其中该甲醛源及该氰化物源包含羟乙。61.根据申请专利范围第38项之方法,其中该氢氧化物源包含一种硷金属氢氧化物。62.根据申请专利范围第38项之方法,其中该氢氧化物源包含NaOH。63.根据申请专利范围第38项之方法,其中该单乙醇胺基材包含2-胺基乙醇。64.根据申请专利范围第38项之方法,其中该单乙醇胺基材包含2-胺基乙醇,该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物包含2-(N-氰基甲胺基)乙醇,该N-(2-羟乙基)甘胺酸中间物包含N-(2-羟乙基)甘胺酸钠,且该亚胺基双醋酸化合物包含亚胺基双醋酸二钠。65.根据申请专利范围第38项之方法,其中该方法系在连续反应器系统中进行。66.根据申请专利范围第65项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。67.根据申请专利范围第66项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少2个成串之搅拌槽反应器。68.根据申请专利范围第65项之方法,其中该方法尚包括自该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物分离氰化氢及/或水,然后将该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物导入该水解反应区内。69.根据申请专利范围第68项之方法,其中系在汽提器中使该氰化氢及/或该水自N-氰基甲基化单乙醇中间物中分离出来。70.根据申请专利范围第68项之方法,其中系使自该N-氰基甲基化胺基乙醇胺中间物中分离之至少一部份该氰化氢再循环回到该氰基甲基化反应区内以接触该乙醇胺基材。71.根据申请专利范围第65项之方法,其中该方法尚包括自该N-(2-羟乙基)甘胺酸中间物中分离氰,然后将该N-(2-羟乙基)甘胺酸中间物导入该去氢化反应区内。72.根据申请专利范围第65项之方法,其中该去氢化反应区包含至少一个搅拌槽反应区。73.根据申请专利范围第65项之方法,其中该去氢化反应区包含至少两个成串之搅拌槽反应区。74.根据申请专利范围第38项之方法,其中该方法尚包括使该亚胺基双醋酸化合物进行膦醯甲基化作用以形成N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸或其盐。75.根据申请专利范围第74项之方法,其中该方法尚包括氧化该N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸以形成N-(膦醯甲基)甘胺酸或其盐。76.一种自单乙醇胺基材制备亚胺基双醋酸化合物之方法,该方法包括:连续性或间歇性将该单乙醇胺基材导入去氢化反应区内;在该去氢化反应区内使该单乙醇胺基材与金属触媒接触以形成含甘胺酸中间物之去氢化产物;将得自该去氢化产物之至少一部份该甘胺酸中间物连续性或间歇导入氰基甲基化反应区内;在该氰基甲基化反应区内使该甘胺酸中间物与氰化物源及甲醛源接触以形成含N-氰基甲基化甘胺酸中间物之氰基甲基化产物;将得自该氰基甲基化产物之至少一部份该N-氰基甲基化甘胺酸中间物连续性或间歇性导入水解反应区内;并在该水解反应反应区内使该N-氰基甲基化甘胺酸中间物与氢氧化物源接触以形成含亚胺基双醋酸化合物之水解产物,其中该单乙醇胺基材具有该下式:;且R1为氢,烃基,或经取代烃基。77.根据申请专利范围第76项之方法,其中R1为烃基。78.根据申请专利范围第77项之方法,其中R1为甲基,乙基,异丙基,基,或戊基。79.根据申请专利范围第78项之方法,其中R1为甲基。80.根据申请专利范围第76项之方法,其中R1为氢。81.根据申请专利范围第76项之方法,其中该含金属触媒包含一种选自包括镉,铜,镍,银及铅之金属。82.根据申请专利范围第76项之方法,其中该含金属触媒包含铜。83.根据申请专利范围第82项之方法,其中该含金属触媒于其表面处含有一种含铜活性相,并含有于该去氢化反应条件下可抗变形之载体结构。84.根据申请专利范围第83项之方法,其中该载体结构包含氧化钛,氧化锆,或碳。85.根据申请专利范围第83项之方法,其中该含金属触媒于该载体结构之表面处尚包含铂,钯,钌,或金。86.根据申请专利范围第83项之方法,其中该载体结构含有一种含至少15重量%非铜金属及至少10重量%铜之金属绒。87.根据申请专利范围第83项之方法,其中于该触媒表面处之该活性相含有至少50重量%铜。88.根据申请专利范围第87项之方法,其中该活性相含有少于1重量%非氧化亚铜之金属氧化物。89.根据申请专利范围第87项之方法,其中该活性相含有少于1重量%氧化亚铜。90.根据申请专利范围第87项之方法,其中该活性相含有至少1重量%一种选自包括铬,钛,铌,钽,锆,钒,钼,锰,钨,钴,镍,铋,锡,锑,铅,锗,及其混合物之补充金属。91.根据申请专利范围第83项之方法,其中该载体结构包含一种含至少10重量%非铜金属之金属。92.根据申请专利范围第91项之方法,其中该触媒包含一种金属绒。93.根据申请专利范围第91项之方法,其中该金属载体包含至少10重量%一种选自包括镍,锌,锡,钴,铁,或其组合物之非铜金属。94.根据申请专利范围第91项之方法,其中该触媒包含一种含该活性相之表层,该表层之每克该载体结构含介于0.005与0.5克间之铜。95.根据申请专利范围第91项之方法,其中该触媒包含一种具有含铜外层沉积于其上之金属绒载体。96.根据申请专利范围第76项之方法,其中:该甲醛源包含福马林,多聚甲醛,或羟乙基;且该氰化物源包含氰化氢或其盐,或羟乙基。97.根据申请专利范围第96项之方法,其中该氧化物源包含氰化钠或氰化钾。98.根据申请专利范围第96项之方法,其中该甲醛源及该氰化物源包含羟乙基。99.根据申请专利范围第76项之方法,其中该氢氧化物源包含硷金属氢氧化物。100.根据申请专利范围第76项之方法,其中该氢氧化物源包含NaOH。101.根据申请专利范围第76项之方法,其中该单乙醇胺基材为2-胺基乙醇。102.根据申请专利范围第76项之方法,其中该单乙醇胺基材包含2-胺基乙醇,该甘胺酸中间物包含甘胺酸钠,该N-氰基甲基化甘胺酸中间物包含N-氰基甲基甘胺酸钠,且该亚胺基双醋酸化合物包含亚胺基双醋酸二钠。103.根据申请专利范围第76项之方法,其中该方法系在连续反应器系统中进行。104.根据申请专利范围第103项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。105.根据申请专利范围第104项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少两个成串搅拌槽反应器。106.根据申请专利范围第103项之方法,其中该方法尚包括自该N-氰基甲基化甘胺酸中间物中分离氰化氢及/或水,然后将该N-氰基甲基化甘胺酸中间物导入该水解反应区内。107.根据申请专利范围第106项之方法,其中系在汽提器内使该氰化氢及/或水自该N-氰基甲基化甘胺酸中间物中分离出来。108.根据申请专利范围第103项之方法,其中该去氢化反应包含至少一个搅拌槽反应器。109.根据申请专利范围第108项之方法,其中该去氢化反应区包含至少两个成串之搅拌槽反应器。110.根据申请专利范围第76项之方法,其中该方法尚包括使该亚胺基双醋酸化合物进行膦醯甲基化反应以形成N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸或其盐。111.根据申请专利范围第110项之方法,其中该方法尚包括氧化该N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸以形成N-(膦醯甲基)甘胺酸或其盐。112.一种自2-胺基乙醇制备亚胺基双醋酸二钠之方法,该方法包括:连续性或间歇性将该2-胺基乙醇导入氰基甲基化反应区内;在该氰基甲基化反应区内连续性或间歇性使该2-胺基乙醇与氰化物源或甲醛源接触以形成含2-(N-氰基甲胺基)乙醇之氰基甲基化产物;将得自该氰基甲基化产物之至少一部份该2-(N-氰基甲胺基)乙醇连续性或间歇性导入水解/去氢化反应区内;并在该水解/去氢化反应区内连续性或间歇性使该2-(N-氰基甲胺基)乙醇与氢氧化钠及含金属触媒接触以形成含亚胺基双醋酸二钠之水解/去氢化产物。113.根据申请专利范围第112项之方法,其中该含金属触媒包含一种选自包括镉,铜,镍,银及铅之金属。114.根据申请专利范围第112项之方法,其中该含金属触媒包含铜。115.根据申请专利范围第114项之方法,其中该含金属触媒于其表面处含有一种含铜活性相,并含有一种于该水解/去氢化反应条件下可抗变形之载体结构。116.根据申请专利范围第115项之方法,其中该载体结构包含一种含至少15重量%非铜金属及至少10重量%铜之金属绒。117.根据申请专利范围第115项之方法,其中于该触媒表面处之活性相含有至少50重量%铜。118.根据申请专利范围第117项之方法,其中该活性相包含少于1重量%非氧化亚铜之金属氧化物。119.根据申请专利范围第117项之方法,其中该活性相含有少于1重量%非氧化亚铜。120.根据申请专利范围第117项之方法,其中该活性相包含至少1重量%一种选自包括铬,钛,铌,钽,锆,钒,钼,锰,钨,钴,镍,铋,锡,锑,铅,锗,及其混合物之补充金属。121.根据申请专利范围第115项之方法,其中该载体结构包含一种含至少10重量%非铜金属之金属。122.根据申请专利范围第121项之方法,其中该触媒包含一种金属绒。123.根据申请专利范围第121项之方法,其中该金属载体包含至少10重量%一种选自包括镍,锌,锡,钴,铁,或其组合物之非铜金属。124.根据申请专利范围第121项之方法,其中该触媒包含一种含该活性相之表层,该表层之每克该载体含介于0.005与0.5克间之铜。125.根据申请专利范围第121项之方法,其中该触媒包含一种具有含铜外层沉积于其上之金属绒。126.根据申请专利范围第112项之方法,其中:该甲醛源包含福马林,多聚甲醛,或羟乙;且该氰化物源包含氰化氢或其盐,或羟乙。127.根据申请专利范围第126项之方法,其中该氰化物源包含氰化钠或氰化钾。128.根据申请专利范围第126项之方法,其中该甲醛源及该氰化物源包含羟乙。129.根据申请专利范围第112项之方法,其中系于140℃至190℃反应温度下,使该2-(N-氰基甲胺基)乙醇与氢氧化物源与该含金属触媒接触。130.根据申请专利范围第112项之方法,其中该方法系在连续反应器系统中进行。131.根据申请专利范围第130项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。132.根据申请专利范围第131项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少两个成串之搅拌槽反应器。133.根据申请专利范围第130项之方法,其中该方法尚包括自该2-(N-氰基甲胺基)乙醇中分离出氰化氢及/或水,然后将该2-(N-氰基甲胺基)乙醇导入该水解/去氢化反应区内。134.根据申请专利范围第133项之方法,其中系在汽提器内自该2-(N-氰基甲胺基)乙醇分离出该氰化氢及/或该水。135.根据申请专利范围第130项之方法,其中该水解/去氢化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。136.根据申请专利范围第135项之方法,其中该水解/去氢化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。137.根据申请专利范围第112项之方法,其中该方法尚包括使该亚胺基双醋酸二钠进行膦醯甲基化反应以形成N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸或其盐。138.根据申请专利范围第137项之方法,其中该方法尚包括氧化该N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸以形成N-(膦醯甲基)甘胺酸或其盐。139.一种自2-胺基乙醇制备亚胺基双醋酸二钠之方法,该方法包括:将该2-胺基乙醇连续性或间歇性导入氰基甲基化反应区内;在该氰基甲基化反应区内连续性或间歇性使该2-胺基乙醇与氰化物源或甲醛源接触以形成含2-(N-氰基甲胺基)乙醇之氰基甲基化产物;将得自该氰基甲基化产物之至少一部份该2-(N-氰基甲胺基)乙醇连续性或间歇性导入水解反应区内;在该水解反应区内连续性或间歇性使该2-(N-氰基甲胺基)乙醇与氢氧化钠接触以形成含N-(2-羟乙基)甘胺酸钠之水解产物;将得自该水解产物之至少一部份该N-(2-羟乙基)甘胺酸钠连续性或间歇性导入去氢化反应区内;且在该去氢化反应区内连续性或间歇性使N-(2-羟乙基)甘胺酸钠与含金属触媒接触以形成含亚胺基双醋酸二钠之去氢化产物。140.根据申请专利范围第139项之方法,其中该含金属触媒包含一种选自包括镉,铜,镍,银及铅之金属。141.根据申请专利范围第139项之方法,其中该含金属触媒包含铜。142.根据申请专利范围第141项之方法,其中该含金属触媒于其表面处含有一种含铜活性相,并包含于该去氢反应条件下可抗变形之载体结构。143.根据申请专利范围第142项之方法,其中该载体结构包含一种含至少15重量%非铜金属及至少10重量%铜之金属绒。144.根据申请专利范围第142项之方法,其中该触媒表面处之该活性相包含至少50重量%铜。145.根据申请专利范围第144项之方法,其中该活性相含有小于1重量%非氧化亚铜之金属氧化物。146.根据申请专利范围第144项之方法,其中该活性相含有少于1重量%氧化亚铜。147.根据申请专利范围第144项之方法,其中该活性相含有至少1重量%一种选自包括铬,钛,铌,钽,锆,钒,钼,锰,钨,钴,镍,铋,锡,锑,铅,锗,及其混合物之补充金属。148.根据申请专利范围第142项之方法,其中该载体结构包含一种含至少10重量%非铜金属之金属。149.根据申请专利范围第148项之方法,其中该触媒包含一种金属绒。150.根据申请专利范围第148项之方法,其中该金属载体包含至少10重量%一种选自包括镍,锌,锡,钴,铁,或其组合物之非铜金属。151.根据申请专利范围第148项之方法,其中该触媒包含一种含该活性相之表层,该表层之每克载体结构含有介于0.005与0.5克间之铜。152.根据申请专利范围第148项之方法,其中该触媒包含一种具有含铜外层沉积于其上之金属绒载体。153.根据申请专利范围第139项之方法,其中:该甲醛源包含福马林,多聚甲醛,或羟乙;且该氰化物源包含氰化氢或其盐,或羟乙。154.根据申请专利范围第153项之方法,其中该氰化物源包含氰化钠或氰化钾。155.根据申请专利范围第153项之方法,其中该甲醛源及该氰化物源包含羟乙。156.根据申请专利范围第139项之方法,其中该方法系在连续反应器系统中进行。157.根据申请专利范围第156项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。158.根据申请专利范围第157项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少两个成串之搅拌槽反应器。159.根据申请专利范围第157项之方法,其中该方法尚包括自该2-(N-氰基甲胺基)乙醇中分离出氰化氢及/或水,然后将2-(N-氰基甲胺基)乙醇导入该水解反应区内。160.根据申请专利范围第159项之方法,其中系在汽提器内使该氰化氢及/或水自该2-(N-氰基甲胺基)乙醇分离出来。161.根据申请专利范围第159项之方法,其中系使自该2-(N-氰基甲胺基)乙醇分离之至少一部份该氰化氢再循环回到该氰基甲基化反应区内以接触该2-胺基乙醇。162.根据申请专利范围第156项之方法,其中该方法尚包括自该N-(2-羟乙基)甘胺酸钠中分离氨,然后将该N-(2-羟乙基)甘胺酸钠导入该去氢化反应区内。163.根据申请专利范围第156项之方法,其中该去氢化反应区包含至少一个搅拌槽反应区。164.根据申请专利范围第163项之方法,其中该去氢化反应区包含至少两个成串之搅拌槽反应区。165.根据申请专利范围第139项之方法,其中该方法尚包括使该亚胺基双醋酸二钠进行膦醯甲基化反应以形成N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸或其盐。166.根据申请专利范围第165项之方法,其中该方法尚包括氧化该N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸以形成N-(膦醯甲基)甘胺酸或其盐。167.一种自2-胺基乙醇制备亚胺基双醋酸二钠之方法,该方法包括:将该2-胺基乙醇连续性或间歇性导入去氢化反应区内;在该去氢化反应区内使该2-胺基乙醇与含金属触媒接触以形成含甘胺酸钠之去氢化产物;将得自该去氢化产物之至少一部份该甘胺酸钠连续性或间歇性导入氰基甲基化反应区内;在该氰基甲基化反应区内使甘胺酸钠与氰化物源及甲醛源接触以形成含N-氰基甲基甘胺酸钠之氰基甲基化产物;将得自该氰基甲基化产物之至少一部份该N-氰基甲基甘胺酸钠连续性或间歇性导入水解反应区内;并在该水解反应区内使N-氰基甲基甘胺酸钠与氢氧化物源接触以形成含亚胺基双醋酸二钠之水解产物。168.根据申请专利范围第167项之方法,其中该含金属触媒包含一种选自包括镉,铜,镍,银及铅之金属。169.根据申请专利范围第167项之方法,其中该含金属触媒包含铜。170.根据申请专利范围第169项之方法,其中该含金属触媒于其表面处含有一种含铜活性相,且含有一种可以于该去氢化反应条件下抗变形之载体结构。171.根据申请专利范围第170项之方法,其中该载体结构包含一种含至少15重量%非铜金属及至少10重量%铜之金属绒。172.根据申请专利范围第170项之方法,其中于该触媒表面处之该活性相包含至少50重量%铜。173.根据申请专利范围第172项之方法,其中该活性相含有少于1重量%非氧化亚铜之金属氧化物。174.根据申请专利范围第172项之方法,其中该活性相含有少于1重量%氧化亚铜。175.根据申请专利范围第172项之方法,其中该活性相含有至少1重量%一种选自包括铬,钛,铌,钽,锆,钒,钼,锰,钨,钴,镍,铋,锡,锑,铅,锗,及其混合物之补充金属。176.根据申请专利范围第170项之方法,其中该载体结构包含一种含至少10重量%非铜金属之金属。177.根据申请专利范围第176项之方法,其中该触媒包含一种金属绒。178.根据申请专利范围第176项之方法,其中该金属载体包含至少10重量%一种选自包括镍,锌,锡,钴,铁,或其组合物之非铜金属。179.根据申请专利范围第176项之方法,其中该触媒包含一种含该活性相之表层,该表层之每克该载体结构含有介于0.005与0.5克间之铜。180.根据申请专利范围第176项之方法,其中该触媒包含一种具有含铜外层沉积于其上之金属绒。181.根据申请专利范围第167项之方法,其中:该甲醛源包含福马林,多聚甲醛,或羟乙;且该氰化物源包含氰化氢或其盐,或羟乙。182.根据申请专利范围第181项之方法,其中该氰化物源包含氰化钠或氰化钾。183.根据申请专利范围第181项之方法,其中该甲醛源及该氰化物源包含羟乙。184.根据申请专利范围第167项之方法,其中该单乙醇胺基材包含2-胺基乙醇。185.根据申请专利范围第167项之方法,其中该单乙醇胺基材包含2-胺基乙醇,该N-氰基甲基化单乙醇胺中间物包含2-(N-氰基甲胺基)乙醇,且该亚胺基双醋酸化合物包含亚胺基双醋酸二钠。186.根据申请专利范围第167项之方法,其中该方法系在连续反应器系统中进行。187.根据申请专利范围第186项之方法,其中该氰基甲基化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。188.根据申请专利范围第187项之方法,其中该氰基甲基化该反应区包含至少两个成串之搅拌槽反应器。189.根据申请专利范围第186项之方法,其中该方法尚包括自该N-氰基甲基甘胺酸钠分离氰化氢及/或水,然后将该N-氰基甲基甘胺酸钠导入该水解反应区内。190.根据申请专利范围第189项之方法,其中系在汽提器中使该氰化氢及/或该水自该N-氰基甲基甘胺酸钠中分离出来。191.根据申请专利范围第186项之方法,其中该去氢化反应区包含至少一个搅拌槽反应器。192.根据申请专利范围第191项之方法,其中该去氢化反应区包含至少两个成串之搅拌槽反应器。193.根据申请专利范围第167项之方法,其中该方法尚包括使该亚胺基双醋酸二钠进行膦醯甲基化反应以形成N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸或其盐。194.根据申请专利范围第193项之方法,其中该方法尚包括氧化该N-(膦醯甲基)亚胺基双醋酸以形成N-(膦醯甲基)甘胺酸或其盐。图式简单说明:图1表示自单乙醇胺持续性制备亚胺基双醋酸产物之较佳具体实例,其中该反应系在氰基甲基化反应区中进行。图2表示自单乙醇胺持续性制备亚胺基双醋酸盐产物之较佳具体实例,其中该反应系在去氢化反应区中进行。 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