| 主权项 |
1.一种软启动电路,其包括:一第一电流源,其输入端连接于一第一电压;一电晶体,其一第一端连接于该第一电流源之输出端,其一第二端连接于一第二电压;以及一电容,其一端连接于该第一电流源之输出端,其另一端连接于该电晶体之输入端;利用该电晶体与该电容之耦接,降低自该软启动电路产生的软启动电压与时间的比値,藉以增加该电容之等效电容値,使得该软启动电路可以以一较小电容値之该电容来制作。2.如申请专利范围第1项所述之软启动电路,其中该第一电流源系为一电流镜。3.如申请专利范围第2项所述之软启动电路,其中该电流镜系由两个相同的P型金氧半场效电晶体(MOSFET)耦接而成。4.如申请专利范围第3项所述之软启动电路,其中该电流镜之输入端连接于一第二电流源之输入端,该电流镜之输出端连接于该电晶体之该第一端及该电容之一端,该电流镜之共源极端连接于该第一电压。5.如申请专利范围第4项所述之软启动电路,其中该第二电流源之输出端连接于该第二电压。6.如申请专利范围第1项所述之软启动电路,其中该第一电压大于该第二电压。7.如申请专利范围第1项所述之软启动电路,其中该电晶体为一npn型双载子接面电晶体(BJT)。8.如申请专利范围第7项所述之软启动电路,其中该电晶体之该第一端为集极端,该电晶体之该第二端为射极端,该电晶体之控制端为基极端。9.如申请专利范围第1项所述之软启动电路,其中该电晶体系为一达灵顿电晶体(Darlington transistor)。10.如申请专利范围第9项所述之软启动电路,其中该达灵顿电晶体由一第一npn型双载子接面电晶体及一第二npn型双载子接面电晶体耦接而成,且该第一npn型双载子接面电晶体之基极端为该电晶体之输入端,该第一npn型双载子接面电晶体之射极端连接于该第二npn型双载子接面电晶体之基极端,该第一npn型双载子接面电晶体之集极端连接于该第二npn型双载子接面电晶体之集极端以构成该电晶体之该第一端,该第二npn型双载子接面电晶体之射极端为该电晶体之该第二端。11.一种软启动电路,其包括:一电流源,其输出端连接于一第一电压;一第一电流镜,其输入端连接于该电流源之输入端,其共源极端连接于一第二电压;一第一金氧半场效电晶体(MOSFET),其源极端连接于该第二电压,其闸极端连接于该第一电流镜之共闸极端;一第二金氧半场效电晶体,其汲极端连接于该第一电流镜之输出端,其源极端连接于该第一电压;一电容,其一端连接于该第一电流镜之输出端及该第二金氧半场效电晶体之汲极端,其另一端连接于该第二金氧半场效电晶体之闸极端;以及一第二电流镜,其输入端连接于该第一金氧半场效电晶体之汲极端,其共源极端连接于该第一电压,其输出端连接于该电容之另一端及该第二电晶体之闸极端;利用该第一电流镜、该第一金氧半场效电晶体、该第二电流镜及该第二金氧半场效电晶体与该电容之耦接,降低自该软启动电路产生的软启动电压与时间的比値,藉以增加该电容之等效电容値,使得该软启动电路可以以一较小电容値之该电容来制作。12.如申请专利范围第11项所述之软启动电路,其中该第一电压小于该第二电压。13.如申请专利范围第11项所述之软启动电路,其中该第一电流镜系由两个相同的第一P型金氧半场效电晶体电晶体耦接而成。14.如申请专利范围第13项所述之软启动电路,其中该第一金氧半场效电晶体为一P型金氧半场效电晶体,且其通道区(Channel)宽长比(Aspect Ratio)小于该第一P型金氧半场效电晶体之通道区长宽比。15.如申请专利范围第11项所述之软启动电路,其中该第二金氧半场效电晶体为一N型金氧半场效电晶体。16.如申请专利范围第15项所述之软启动电路,其中该第二电流镜系由一第一N型金氧半场效电晶体及一第二N型金氧半场效电晶体耦接而成。17.如申请专利范围第16项所述之软启动电路,其中该第一N型金氧半场效电晶体之汲极为该第二电流镜之输入端,该第二N型金氧半场效电晶体之汲极为该第二电流镜之输出端。18.如申请专利范围第16项所述之软启动电路,其中该第一N型金氧半场效电晶体之通道区宽长比大于该第二N型金氧半场效电晶体之通道区宽长比。19.一种软启动电路,其包括:一电流源,其输出端连接于一第一电压;一第一电流镜,其输入端连接于该电流源之输入端,其共源极端连接于一第二电压;一第一金氧半场效电晶体(MOSFET),其源极端连接于该第二电压,其闸极端连接于该第一电流镜之共闸极;一第二金氧半场效电晶体,其汲极端连接于该第一金氧半场效电晶体之汲极端,其一源极端连接于该第一电压;一电容,其一端连接于该第一金氧半场效电晶体之汲极端及该第二金氧半场效电晶体之汲极端,其另一端连接于该第二金氧半场效电晶体之闸极端;以及一第二电流镜,其输入端连接于该第一电流镜之输出端,其共源极端连接于该第一电压,其输出端连接于该电容之另一端及该第二金氧半场效电晶体之闸极端;利用该第一电流镜、该第一金氧半场效电晶体、该第二电流镜及该第二金氧半场效电晶体与该电容之耦接,降低自该软启动电路产生的软启动电压与时间的比値,藉以增加该电容之等效电容値,使得该软启动电路可以以一较小电容値之该电容来制作。20.如申请专利范围第19项所述之软启动电路,其中该第一电压小于该第二电压。21.如申请专利范围第19项所述之软启动电路,其中该第一电流镜系由一第一P型金氧半场效电晶体及一第二P型金氧半场效电晶体耦接而成。22.如申请专利范围第21项所述之软启动电路,其中该第一P型金氧半场效电晶体之汲极为该第一电流镜之输入端,该第二P型金氧半场效电晶体之汲极为该第一电流镜之输出端。23.如申请专利范围第22项所述之软启动电路,其中该第一P型金氧半场效电晶体之通道区(Channel)宽长比(Aspect Ratio)大于该第二P型金氧半场效电晶体之通道区长宽比。24.如申请专利范围第23项所述之软启动电路,其中该第一金氧半场效电晶体为一P型金氧半场效电晶体。25.如申请专利范围第19项所述之软启动电路,其中该第二金氧半场效电晶体为一N型金氧半场效电晶体。26.如申请专利范围第25项所述之软启动电路,其中该第二电流镜系由一第一N型金氧半场效电晶体及一第二N型金氧半场效电晶体耦接而成。27.如申请专利范围第26项所述之软启动电路,其中该第一N型金氧半场效电晶体之汲极为该第二电流镜之输入端,该第二N型金氧半场效电晶体之汲极为该第二电流镜之输出端。28.如申请专利范围第27项所述之软启动电路,其中该第一N型金氧半场效电晶体之通道区宽长比大于该第二N型金氧半场效电晶体之通道区宽长比。图式简单说明:第一图:习知的软启动电路之电路示意图;第二图:本案第一较佳实施例之软启动电路之电路示意图;第三图:本案第二较佳实施例之软启动电路之电路示意图;以及第四图:本案第三较佳实施例之软启动电路之电路示意图。 |
