用于变换信号之逻辑准位的准位变换电路

摘要

本准位变换电路之偏压电位产生电路20当输入信号VI被设为「L」准位、第一及第二信号V1、V2各自被设为「H」准位及「L」准位时，将供给拉低用之N通道型MOS电晶体5之背闸极之偏压电位VB1设为正电位VDD－VTHL，降低N通道型MOS电晶体5之临限值电压。因此，在输入信号 VI之振幅电压系低电压化之情况也可使动作速度高速化。伍 (一)、本案代表图为：第3图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：20~偏压电位产生电路； 21~VB2产生电路；22~VB1产生电路； 23~NOR闸；24~反相器； 25~N通道型MOS电晶体；26~N通道型MOS电晶体； 27~N通道型MOS电晶体；28~P通道型MOS电晶体； VDD~电源电压；GND~接地电压； VB1、VB2~偏压电位；VO、/VO~信号； V3、V3'~信号

主权项

1.一种准位变换电路,将其一者之准位系基准电位,其另一者之准位系比基准电位高之第一电位之第一信号变换为其一者之准位系基准电位,其另一者之准位系比该第一电位高之第二电位之第二信号后,向输出节点输出,包括:负载电路,接在该第二电位和该输出节点之间;第一N型电晶体,其汲极和该输出节点连接,其源极和该基准电位线连接,其闸极接受该第一信号;以及偏压电位产生电路,具有响应该第一信号而被设为导通/不导通状态之至少一个电晶体,按照该第一信号被设为该第一电位,产生比该基准电位高之该第一电位以下之偏压电位后,供给该第一N型电晶体之背闸极。2.如申请专利范围第1项之准位变换电路,其中,该偏压电位系该第一N型电晶体之背闸极及源极之间之PN接面之内建电位以下。3.如申请专利范围第1项之准位变换电路,其中,该偏压电位产生电路包括准位挪移电路,令该第一电位之准位移向该基准电位侧,产生该偏压电位。4.如申请专利范围第3项之准位变换电路,其中,该准位挪移电路包括第二N型电晶体,接在该第一电位线和该第一N型电晶体之背闸极之间,其闸极接受该第一信号。5.如申请专利范围第3项之准位变换电路,其中,该准位挪移电路包括第二N型电晶体,其闸极及汲极接受该第一信号,其源极和该第一N型电晶体之背闸极连接。6.如申请专利范围第3项之准位变换电路,其中,该准位挪移电路包括:预定个数之二极体元件;及切换元件,在该第一电位线和该第一N型电晶体之背闸极之间和该预定个数之二极体元件串联,按照该第一信号被设为第一电位变成导通。7.如申请专利范围第3项之准位变换电路,其中,该准位挪移电路包括:复数二极体元件;切换元件,按照该第一信号被设为第一电位变成导通;以及切换电路,选择该复数二极体元件之中之个数按照选择信号之二极体元件后,在该第一电位线和该第一N型电晶体之背闸极之间将所选择之二极体元件和该切换元件串联。8.如申请专利范围第7项之准位变换电路,其中,该准位挪移电路还包括电位检测电路,检测该第一电位后,依照检测结果产生该选择信号;该第一电位愈高利用该切换电路选择之二极体元件之个数愈多。9.如申请专利范围第1项之准位变换电路,其中,该偏压电位产生电路包括:电容器,其一者之电极和该基准电位线连接;切换电路,在该第一信号系该基准电位之情况令该电容器之另一者之电极和该第一电位之间导通,而在该第一信号系该第一电位之情况令该电容器之另一者之电极和该第一N型电晶体之背闸极之间导通;以及二极体元件,接在该第一N型电晶体之背闸极和该基准电位线之间。10.如申请专利范围第1项之准位变换电路,其中,该偏压电位产生电路按照该第一及第二信号之中之至少一者之信号被设为该基准电位供给该第一N型电晶体之背闸极该基准电位。11.如申请专利范围第1项之准位变换电路,其中,该偏压电位产生电路按照该第一信号被设为该基准电位供给该第一N型电晶体之背闸极该基准电位。12.如申请专利范围第1项之准位变换电路,其中,还包括比较电路,比较该第一电位和预定之电位后,在该第一电位比该预定之电位高之情况,令该偏压电位产生电路变成不活化,令将该第一N型电晶体之背闸极固定为该基准电位。13.如申请专利范围第1项之准位变换电路,其中,设置2组该输出节点、该负载电路、该第一N型电晶体以及该偏压电位产生电路;还包括反相器,产生该第一信号之反相信号;一者之负载电路包括第一P型电晶体,接在该第二电位线和一者之输出节点之间,其闸极和另一者之输出节点连接;另一者之负载电路包括第二P型电晶体,接在该第二电位线和另一者之输出节点之间,其闸极和该一者之输出节点连接;一者之第一N型电晶体之汲极和该一者之输出节点连接,其源极和该基准电位线连接,其闸极接受该第一信号;另一者之第一N型电晶体之汲极和该另一者之输出节点连接,其源极和该基准电位线连接,其闸极接受该第一信号之反相信号;一者之偏压电位产生电路按照该第一信号被设为该基准电位产生该偏压电位后,供给该一者之第一N型电晶体之背闸极;另一者之偏压电位产生电路按照该第一信号之反相信号被设为该基准电位产生该偏压电位后,供给该另一者之第一N型电晶体之背闸极。14.一种准位变换电路,将其一者之准位系基准电位,其另一者之准位系比基准电位高之第一电位之第一信号变换为其一者之准位系基准电位,其另一者之准位系比该第一电位高之第二电位之第二信号后,向输出节点输出,包括:负载电路,接在该第二电位和该输出节点之间;N型电晶体,其汲极和该输出节点连接,其源极和该基准电位线连接,其闸极接受该第一信号;以及切换电路,接受比该基准电位高且系该N型电晶体之背闸极及源极间之PN接面之内建电位以下之偏压电位和基准电位,按照该第一信号而被设为该第一电位,供给该N型电晶体之背闸极该偏压电位,按照该第一信号而被设为该基准电位,供给该N型电晶体之背闸极该基准电位。15.一种准位变换电路,将其一者之准位系基准电位,其另一者之准位系比基准电位高之第一电位之第一信号变换为其一者之准位系基准电位,其另一者之准位系比该第一电位高之第二电位之第二信号后,向输出节点输出,包括:负载电路,接在该第二电位和该输出节点之间;及N型电晶体,其汲极和该输出节点连接,其源极和该基准电位线连接,其闸极接受该第一信号,其背闸极接受该背闸极及源极间之PN接面之内建电位以下之偏压电位。图式简单说明:图1系表示本发明之实施例1之准位变换电路之主要部分之电路图。图2系表示图1所示N通道型MOS电晶体之构造之剖面图。图3系表示产生图1所示之偏压电位之偏压电位产生电路之构造之电路图。图4系表示图1~图3所示准位变换电路之动作之时序图。图5系表示实施例1之变更例之电路图。图6系表示本发明之实施例2之准位变换电路之偏压电位产生电路之构造之电路图。图7系表示本发明之实施例3之准位变换电路之偏压电位产生电路之构造之电路图。图8系表示本发明之实施例4之准位变换电路之偏压电位产生电路之构造之电路图。图9系表示本发明之实施例5之准位变换电路之偏压电位产生电路之构造之电路图。图10系表示实施例5之变更例之电路图。图11系表示本发明之实施例6之准位变换电路之偏压电位产生电路之构造之电路图。图12系表示图11所示偏压电位产生电路之动作之时序图。图13系表示本发明之实施例7之准位变换电路之切换电路之构造之电路图。图14系表示本发明之实施例8之准位变换电路之偏压电位产生电路之构造之电路图。图15系表示本发明之实施例9之准位变换电路之切换电路之构造之电路图。图16系表示本发明之实施例10之准位变换电路之控制电路之构造之电路方块图。图17系表示本发明之实施例11之准位变换电路之主要部分之电路图。图18系表示本发明之实施例12之准位变换电路之偏压电位产生电路之构造之电路图。图19系表示图18所示准位变换电路之动作之时序图。图20系表示实施例12之变更例之电路图。图21系表示实施例12之别的变更例之电路图。图22系表示实施例12之另外之变更例之电路图。