| 主权项 |
1.一种在矽基底上形成MOS装置之方法,包括:a)制备基底,以包含具有第一装置主动区之第一导电率型的导电区;b)在第一装置主动区上,形成闸电极结构,该闸电极结构包含闸电极及绝缘侧壁;c)将导电率型与该第一装置主动区相反的离子植入该导电区的曝露部份,以在该闸结构的对立侧上形成源极与汲极区;及d)以选择性CVD,在该源极和汲极区上以及该闸电极上,沈积金属矽化物层;其中,该布植步骤c)包含使用电浆浸渍离子布植以布植离子。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该布植步骤c)包含使用能量范围约0.5 keV至2 keV之电浆浸渍离子布植以布植离子。3.如申请专利范围第1项之方法,其中,该布植步骤c)包含使用电浆浸渍离子布植以布植离子以及包含以约1.0 1014cm-2至1.01015cm-2范围之剂量布植。4.如申请专利范围第1项之方法,其中,该布植步骤c)包含使用电浆浸渍离子布植以布植离子、以及包含布植以在该源极与汲极区中造成约1.01019cm-3至1.01022cm-3范围之表面离子浓度。5.如申请专利范围第1项之方法,在以CVD沈积金属矽化物层之该步骤(d)之后,又包含在以该步骤a)-d)取得的结构上沈积绝缘层之步骤以及金属化该结构之步骤。6.一种在矽基底上形成MOS装置之方法,包括:a)制备基底,以包含具有第一装置主动区之第一导电率型的导电区;b)在第一装置主动区上,形成闸电极;c)将导电率型与该第一装置主动区相反的离子植入该导电区的曝露部份,以在该闸结构的对立侧上形成源极与汲极区;d)形成相邻于该闸电极之绝缘闸极侧壁;及e)以选择性CVD,在该源极和汲极区上以及该闸电极上,沈积金属矽化物层;其中,该布植步骤c)包含使用低能量离子布植以布植离子。7.如申请专利范围第6项之方法,其中,该布植步骤c)包含使用能量范围约0.5 keV至10 keV之低能量离子布植以布植离子。8.如申请专利范围第6项之方法,其中,该布植步骤c)包含使用低能量离子布植以布植离子以及包含以约1.01014cm-2至1.01015cm-2范围之剂量布植。9.如申请专利范围第6项之方法,其中,该布植步骤c)包含使用低能量离子布植以布植离子、以及包含布植以在该源极与汲极区中造成约1.01019cm-3至1.01022cm-3范围之表面离子浓度。10.如申请专利范围第6项之方法,在以CVD沈积金属矽化物层之该步骤e)之后,又包含在以该步骤a)-e)取得的结构上沈积绝缘层之步骤。11.一种在矽基底上形成CMOS装置之方法,包括:a)制备基底,以包含其中具有第一装置主动区之第一导电率型的导电区,以及包含其中具有第二装置主动区之第二导电率型的导电区;b)在第一及第二装置主动区上,形成闸电极;c)在每一闸电极上,沈积及形成闸电极侧壁绝缘器层;d)掩罩第一装置主动区;e)将第一型离子布植至第二装置主动区的曝露部份中,以在第二装置主动区中形成源极区和汲极区;f)剥除掩罩;g)掩罩第二装置主动区;h)将第二型离子布植至第一装置主动区的曝露部份中,以在第一装置主动区中形成源极区和汲极区;i)剥除掩罩;及j)在第一及第二装置主动区中的闸电极上以及源极和汲极区上,沈积金属矽化物层;其中,该布植步骤e)及h)包含使用电浆浸渍离子布植以布植离子;及其中,该沈积金属矽化物层的步骤j)包含以金属矽化物的选择性CVD,沈积金属矽化物层。12.如申请专利范围第11项之方法,其中,该布植步骤e)及h)包含以能量范围约0.5 keV至2 keV及剂量范围约1.01014cm-2至1.01015cm-2,进行布植。13.如申请专利范围第11项之方法,其中,该布植步骤e)及h)包含布植以在该源极与汲极区中造成约1.01019cm-3至1.01022cm-3范围之表面离子浓度。14.如申请专利范围第11项之方法,在该沈积金属矽化物层之步骤j)之后,又包含在以该步骤a)-j)取得的结构上沈积绝缘层之步骤以及金属化该结构之步骤。15.一种在矽基底上形成CMOS装置之方法,包括:a)制备基底,以包含其中具有第一装置主动区之第一导电率型的导电区,以及包含其中具有第二装置主动区之第二导电率型的导电区;b)在第一及第二装置主动区上,形成闸电极;c)掩罩第一装置主动区;d)将第一型离子布植至第二装置主动区的曝露部份中,以在第二装置主动区中形成源极区和汲极区;e)剥除掩罩;f)掩罩第二装置主动区;g)将第二型离子布植至第一装置主动区的曝露部份中,以在第一装置主动区中形成源极区和汲极区;h)剥除掩罩;i)在每一闸电极上,沈积及形成闸电极侧壁绝缘器层;j)在第一及第二装置主动区中的闸电极上以及源极和汲极区的曝露表面上,沈积金属矽化物层;其中,该布植步骤d)及g)包含使用低能量离子布植以布植离子;及其中,该沈积金属矽化物层的步骤j)包含以金属矽化物的选择性CVD,沈积金属矽化物层。16.如申请专利范围第15项之方法,其中,该布植步骤d)及g)包含以能量范围约0.5 keV至10 keV及剂量范围约1.01014cm-2至1.01015cm-2,进行布植。17.如申请专利范围第15项之方法,其中,该布植步骤d)及g)包含布植以在该源极与汲极区中造成约1.01019cm-2至1.01022cm-2范围之表面离子浓度。18.如申请专利范围第15项之方法,在该沈积金属矽化物层之步骤j)之后,又包含在以该步骤a)-j)取得的结构上沈积绝缘层之步骤以及金属化该结构之步骤。图式简单说明:图1-6系说明用于电浆浸渍离子布植之本发明的方法之步骤。图7-11系说明用于低能量离子布植之本发明的方法之步骤。 |
