| 主权项 |
1.一种水溶液中之蚀刻剂组合物,包括:a)0.01至15重量百分比之硫酸;b)0.1至100ppm之含氟化物之化合物;及c)选自由0.01至20重量百分比之过氧化氢或1至30ppm之臭氧所组成之群之一者。2.根据申请专利范围第1项之蚀刻剂组合物,其中该含氟化物之化合物包括氢氟酸。3.根据申请专利范围第1项之蚀刻剂组合物,其包含0.01至20重量百分比之过氧化氢。4.根据申请专利范围第1项之蚀刻剂组合物,其包含1至30ppm之臭氧。5.根据申请专利范围第2项之蚀刻剂组合物,其包含1至10重量百分比之硫酸、1至10重量百分比之过氧化氢及1至50ppm之氢氟酸。6.根据申请专利范围第2项之蚀刻剂组合物,其包含5重量百分比之硫酸、12重量百分比之过氧化氢及10ppm之氢氟酸。7.根据申请专利范围第1项之蚀刻剂组合物,其包括去离子水。8.一种提供经反应性离子蚀刻之半导体装置之布线/互连体之水性线路后端(BEOL;back-end-of-line)清洗之方法,包括:使用根据申请专利范围第1项之蚀刻剂组合物,使该经反应性离子蚀刻之半导体装置进行后金属RIE清洗,包括:a)将水、硫酸及过氧化氢或臭氧混合于混合槽中;b)将HF直接混合至该混合槽中,或在将该水、硫酸及过氧化氢之混合物输送至供晶圆处理用之槽中之前、之中或之后,将HF加至供晶圆处理用之个别槽中;及c)利用该蚀刻剂组合物使该半导体装置之布线/互连体进行蚀刻,以将侧壁聚合物、聚合物横条及通道残留物移除,而不在侧壁聚合物、聚合物横条、及通道残留物之移除过程中蚀刻导电性材料。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该含氟化物之化合物包括氢氟酸。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中该蚀刻剂组合物包含0.01至20重量百分比之过氧化氢。11.根据申请专利范围第8项之方法,其中该蚀刻剂组合物包含1至30ppm之臭氧。12.根据申请专利范围第9项之方法,其中该蚀刻剂组合物包含1至10重量百分比之硫酸、1至10重量百分比之过氧化氢、及1至50ppm之氢氟酸。13.根据申请专利范围第9项之方法,其中该蚀刻剂组合物包含5重量百分比之硫酸、12重量百分比之过氧化氢及10ppm之氢氟酸。14.根据申请专利范围第8项之方法,其中该蚀刻剂组合物包括去离子水。15.一种对经反应性离子蚀刻之半导体装置之布线/互连体,利用反馈控制监测在水性线路后端(BEOL)清洗中之活性成份HF,两提供该清洗之方法,包括:使用根据申请专利范围第1项之蚀刻剂组合物,使该经反应性离子蚀刻之半导体装置进行后金属RIE清洗,包括:a)将水、硫酸及过氧化氢混合于混合槽中;b)将HF直接混合至该混合槽中,或在将该水、硫酸及过氧化氢之混合物以混合物输送至该供晶圆处理用之个别槽中之前、之中或之后,将HF加至供晶圆处理用之个别槽中;c)自该混合槽取出包含HF之样品,或自该晶圆处理槽取出HF,及将该样品输送通过反馈回路;d)将该样品与HF之标准稀薄溶液比较,而得到在该样品中之HF浓度之値;e)将该値输入至槽工具处方控制,以于该混合槽或该晶圆处理容器中使HF之浓度产生任何必需的调整,而达预定范围;及f)利用该蚀刻剂组合物使该半导体装置之布线/互连体进行蚀刻,以将侧壁聚合物、聚合物横条及通道残留物移除,而不在侧壁聚合物、聚合物横条、及通道残留物之移除过程中蚀刻导电性材料。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中该含氟化物之化合物包括氢氟酸。17.根据申请专利范围第15项之方法,其中该蚀刻剂组合物包含0.01至2.0重量百分比之过氧化氢。18.根据申请专利范围第15项之方法,其中该蚀刻剂组合物包含1至30ppm之臭氧。19.根据申请专利范围第16项之方法,其中该蚀刻剂组合物包含1至10重量百分比之硫酸、1至10重量百分比之过氧化氢、及1至50ppm之氢氟酸。20.根据申请专利范围第16项之方法,其中该蚀刻剂组合物包含5重量百分比之硫酸、12重量百分比之过氧化氢及10ppm之氢氟酸。21.根据申请专利范围第15项之方法,其中该蚀刻剂组合物包括去离子水。22.根据申请专利范围第15项之方法,其中该供晶圆处理用之个别容器系为喷雾处理器。图式简单说明:图1系说明本发明所企图解决之问题之半导体装置之一部分的横剖面图。图2系说明本发明所企图解决之问题之半导体装置之一部分的横剖面图。图3系显示将化学物质传送至供互连体之水性线路后端(BEOL)清洗用之开放槽之方法之流程图的示意图。图4系用于互连体之水性线路后端(BEOL)清洗之水性清洗之线上HF监测之流程图的示意图。图5系互连体之水性线路后端(BEOL)清洗之程序控制之流程图的示意图,其中将方法的实行扩展至在喷雾处理器中之晶圆处理。 |
