| 主权项 |
1.一种金属内连线的制造方法,该方法包括:提供一基底;于该基底上形成一介电层;于该介电层中形成一开口;于该开口中形成一下部导体插塞,该下部导体插塞之表面系低于该介电层之表面,使该开口上部的侧壁裸露出来;于该开口上部的侧壁上形成一间隙壁;于该开口中形成一上部导体插塞,以与该下部导体插塞电性连接;以及于该介电层与该上部导体插塞上形成复数个导线。2.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中于该开口中形成该下部导体插塞以及于该介电层与该上部导体插塞上形成该些导线的步骤包括:于该基底上形成一导体层,以覆盖该介电层、该间隙壁并填入该开口中,其中该开口中之该导体层为该上部导体插塞;以及图案化该导体层,以形成该些导线。3.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中形成该间隙壁的方法包括:于该基底上形成一间隙壁材料层,以覆盖该介电层、该开口的侧壁与该下部导体插塞的表面;以及非等向性蚀刻该间隙壁材料层,以形成该间隙壁。4.如申请专利范围第3项所述之金属内连线的制造方法,其中该间隙壁材料层系与该介电层之材质不相同。5.如申请专利范围第4项所述之金属内连线的制造方法,其中该间隙壁材料层之材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第3项所述之金属内连线的制造方法,其中该间隙壁材料层系与该介电层之材质相同。7.如申请专利范围第6项所述之金属内连线的制造方法,其中该间隙壁材料层之材质包括氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该下部导体插塞的形成方法包括:于该基底上形成一导体层,以覆盖该介电层,并填满该开口;进行一化学机械研磨制程,以去除覆盖在该介电层表面上的该导体层;以及回蚀刻该导体层,以形成该下部导体插塞。9.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该些导线之关键尺寸小于该下部导体插塞之关键尺寸。10.一种金属内连线的制造方法,该方法包括:提供一基底;于该基底上形成一介电层;于该介电层中形成一下部导体插塞;于介电层中形成一上部导体插塞,以与该下部导体插塞电性连接,该上部导体插塞之关键尺寸系小于该上部导体插塞之关键尺寸;以及于该介电层与该下部导体插塞上形成复数个导线。11.如申请专利范围第10项所述之金属内连线的制造方法,其中该下部导体插塞以及该些导线系经由一沉积导体层之步骤以及一图案化步骤同时形成。12.如申请专利范围第10项所述之金属内连线的制造方法,其中该些导线之关键尺寸小于该下部导体插塞之关键尺寸。13.一种金属内连线,其包括:一介电层,设置于一基底上;一下部导体插塞,位于该介电层中;一上部导体插塞,位于该介电层中且位于该下部导体插塞上,其关键尺寸系小于该下部导体插塞之关键尺寸;复数个导线,位于该介电层与该上部导体插塞上。14.如申请专利范围第13项所述之金属内连线,更包括一间隙壁位于该介电层与该上部导体插塞之间。15.如申请专利范围第13项所述之金属内连线,该间隙壁之材质系与该介电层之材质不同。16.如申请专利范围第13项所述之金属内连线,该间隙壁之材质系与该介电层之材质相同。17.如申请专利范围第13项所述之金属内连线,其中该上部导体插塞为柱状。18.如申请专利范围第13项所述之金属内连线,其中该下部导体插塞为柱状。19.如申请专利范围第13项所述之金属内连线,其中该上部导体插塞之关键尺寸小于该些导线之关键尺寸。20.如申请专利范围第13项所述之金属内连线,其中该上部导体插塞之材质系与该些导线之材质相同。图式简单说明:第1图是系绘示习知一种金属内连线之上视图。第2A图至第2F图是依照本发明实施例所绘示之金属内连线之制造方法之流程剖面示意图。第3图是系绘示第2F图之上视图。 |
