| 主权项 |
1.一种半导体加速感测器(semiconductor accelerationsensor),其包含有:一非单晶矽基底;一电性绝缘的梁状(beam)结构,其具有一可动端(movable section)与一固定端;至少一压电电阻(piezoresistor)设于该梁状结构上;一电性绝缘的支承构件(supporter)设于该非单晶矽基底上,用来固定该梁状结构之该固定端,使得该梁状结构与该非单晶矽基底之间相隔一距离;以及一薄膜电晶体(thin film transistor, TFT)控制电路设于该非单晶矽基底上,并电连接于该压电电阻与该梁状结构。2.如申请专利范围第1项之半导体加速感测器,其中该非单晶矽基底系为一玻璃基底。3.如申请专利范围第2项之半导体加速感测器,其中该薄膜电晶体控制电路系为一低温复晶矽(lowtemperature polysilicon, LTPS)薄膜电晶体控制电路。4.如申请专利范围第1项之半导体加速感测器,其中该非单晶矽基底系为一石英基底。5.如申请专利范围第4项之半导体加速感测器,其中该薄膜电晶体控制电路系为一高温复晶矽(high temperaturepolysilicon, HTPS)薄膜电晶体控制电路。6.如申请专利范围第1项之半导体加速感测器,其中该梁状结构与该支承构件系为一体成型。7.如申请专利范围第6项之半导体加速感测器,其中该梁状结构与该支承构件皆系包含有二氧化矽。8.如申请专利范围第1项之半导体加速感测器,其中该压电电阻系包含有掺杂(doped)复晶矽。9.如申请专利范围第1项之半导体加速感测器,其中该压电电阻系为一压电薄膜(piezoelectric thin film)。10.如申请专利范围第9项之半导体加速感测器,其中该压电薄膜矽包含有氧化锌(ZnO)、钛酸钡陶瓷(BaTiO3)或钛酸铅铬陶瓷(PbZrTiO3, PZT)。11.如申请专利范围第1项之半导体加速感测器,其中该非单晶矽基底表面另包含有一TFT显示区域,系用来显示该半导体加速感测器所侦测到的压力变化値。12.一种半导体加速感测器(semiconductor acceleration sensor),其包含有:一绝缘基底;一绝缘悬臂梁状(cantilever beam)结构设于该绝缘基底表面,其具有一可动端(movable section),且该可动端与该绝缘基底之间相隔一距离;至少一压电电阻(piezoresistor)设于该悬臂梁状结构上;以及一控制电路(control circuit)电连接于该压电电阻与该绝缘悬臂梁状结构。13.如申请专利范围第12项之半导体加速感测器,其中该绝缘悬臂梁状结构系包含有二氧化矽。14.如申请专利范围第12项之半导体加速感测器,其中该压电电阻系包含有掺杂(doped)复晶矽。15.如申请专利范围第12项之半导体加速感测器,其中该压电电阻系为一压电薄膜(piezoelectric thin film)。16.如申请专利范围第12项之半导体加速感测器,其中该压电薄膜矽包含有氧化锌(ZnO)、钛酸钡陶瓷(BaTiO3)或钛酸铅铬陶瓷(PbzrTiO3, PZT)。17.如申请专利范围第12项之半导体加速感测器,其中该绝缘基底系为一玻璃基底。18.如申请专利范围第17项之半导体加速感测器,其中该控制电路系设于该玻璃基底上,且该控制电路系包含有一低温复晶矽薄膜电晶体(low temperature polysiliconthin film transistor, LTPS TFT)控制电路。19.如申请专利范围第18项之半导体加速感测器,其中该绝缘基底系为一石英基底。20.如申请专利范围第19项之半导体加速感测器,其中该控制电路系设于该石英基底上,且该控制电路系包含有一高温复晶矽薄膜电晶体(high temperature polysilicon thin film transistor, HTPSTFT)控制电路。21.如申请专利范围第12项之半导体加速感测器,其中该控制电路系设于一印刷电路板(printed circuit board, PCB)上,且该控制电路系利用一软性印刷电路板(flexible printed circuit board, FPC board)与该悬臂梁结构与该压电电阻电连接。22.如申请专利范围第12项之半导体加速感测器,其中该控制电路系设于一软性印刷电路板上,且该控制电路系利用该软性印刷电路板与该悬臂梁结构与该压电电阻电连接。23.如申请专利范围第12项之半导体加速感测器,其中该绝缘基底表面另包含有一TFT显示区域,系用来显示该半导体加速感测器所侦测到的压力变化値。图式简单说明:图一为习知半导体加速感测器的剖面示意图。图二为本发明半导体加速感测器的剖面示意图。 |
