发明名称 线性量测装置之制作方法
摘要 一种线性量测装置之制作方法,是运用可覆写原理制作出具有多数不同磁矩方向的主体单元,并以一线性偏极化的雷射光入射到主体单元而形成读取单元,而因雷射光入射不同的磁矩方向的磁区会因克尔磁光效应反射不同型态的椭圆偏极光,故当主体单元相对于读取单元移位时,可藉由检偏板收受不同型态的偏极光,然后再透过感光元件将不同的偏极光译码为线性移位值。
申请公布号 TW589445 申请公布日期 2004.06.01
申请号 TW091138020 申请日期 2002.12.31
申请人 财团法人精密机械研究发展中心;庄国钦 台北市士林区忠诚路二段一○二号十二楼 发明人 庄国钦;刘旺林;锺添淦
分类号 G01B11/02 主分类号 G01B11/02
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种线性量测装置之制作方法,包含以下步骤:一、成型主体单元:运用高能量雷射光入射到具有钴、铂溅镀层的基板,并以固定磁场方式导引制作出数个不同磁矩方向的磁区所形成;二、设置读取单元:是以一线性偏极化的雷射光入射到基板的固定入射区所形成,而因线性偏极化的雷射光入射到不同的磁矩方向的磁区会产生克尔磁光效应,故当主体单元相对于该读取单元移位时,会由不同磁矩方向而反射不同型态的椭圆偏极光;三、译码量测値:设置一检偏板收受主体单元与读取单元于相对移位时所产生的不同型态偏极光,然后透过感光元件将不同型态的偏极光译码,即能取得主体单元与读取单元相对的线性移位値。2.依据申请专利范围第1项所述之线性量测装置之制作方法,其中,该基板的溅镀层是以铂、钴交替溅镀所形成。3.依据申请专利范围第1项所述之线性量测装置之制作方法,其中,该读取单元是利用一线性偏极化的雷射光透过聚焦透镜聚焦后入射到基板所形成。4.依据申请专利范围第1项所述之线性量测装置之制作方法,其中,该主体单元是利用高雷射光经过空气楔照射在该基板上,使基板分别产生等间距且亮暗条纹状相间的第一区与第二区,且当高能量雷射先后照射于基板形成的第一、二区达到居礼温度时,透过外加固定磁场方式使第一区与第二区分别形成不同的磁矩方向,另外,更以高能量雷射光照射基板之固定间距而形成一第三区,且第三区的区距间具有至少一第一区及一第二区,而当高能量雷射照射第三区达到居礼温度后,透过外加固定磁场方式作用可使其产生有别于第一、二区的磁矩方向。5.依据申请专利范围第4项所述之线性量测装置之制作方法,其中,当基板上的第一区到达居礼温度时,会使受热处的磁场变得混乱,矫顽磁力近似于零,所以在外加固定磁场作用下,可使第一区的磁矩方向形成向上。6.依据申请专利范围第4项所述之线性量测装置之制作方法,其中,该基板上的第二区到达居礼温度时,会使受热处的磁场变得混乱,矫顽磁力近似于零,所以在外加固定磁场作用下,可使第二区的磁矩方向控制成相反于第一区之磁矩方向。7.依据申请专利范围第4项所述之线性量测装置之制作方法,其中,每一第三区所形成的特殊磁矩方向是当作前进、后退与原点复归的参考点。8.依据申请专利范围第1项所述之线性量测装置之制作方法,其中,基板上所形成的磁矩方向为磁场导引的物理反应,故可随时回复初始装态,所以能藉雷射光透过不同位置的空气楔在同一基板上先后制作出不等间距的磁区,进而取得不同量测基准刻度。图式简单说明:第一图是习用光学尺制作方法的示意图;第二图是一流程图,说明本发明线性量测装置之制作方法的一较佳实施例;第三图是该较佳实施例成型第一磁区的示意图;第四图是该较佳实施例于基板成型不同磁矩方向后的示意图;及第五图是该较佳实施例之一使用状态示意图。
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