| 主权项 |
1.一种于基材上制出图案之方法,包括下列步骤:于该基材上沉积许多第一种液体材料之液滴以作为第一种沉积物;于该基材上沉积第二种液体材料之液滴以作为第二种沉积物,于第一种材料系为液体时与该第一种材料接触,该第一种及第二种液体材料彼此不相溶混;及自该经沉积之液体材料中之至少一种于该基材上制得固体沉积物。2.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括于该基材上沉积许多与第二种液体材料不相溶混之液体材料液滴,以作为第三种沉积物,该第三种沉积物系与第一种相隔一预定间隙,且该第二种沉积物系施加于该间隙中,与第一种及第三种沉积物重叠。3.如申请专利范围第2项之方法,其中固体沉积物系自第二种液体材料制得。4.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括于该基材沉积许多与该第一种液体材料不相溶混之液体材料液滴以作为第三种沉积物,该第三种沉积物系于该第一种材料系为液体的情况下与该第一种材料接触,而与该第二种材料间隔一个含有该第一种沉积物的预定间隙。5.如申请专利范围第4项之方法,其中固体沉积物系自第二种及第三种液体材料制得。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一种、第二种及第三种液体材料中之至少一种的大量液滴系藉由喷墨印刷而沉积。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积物中至少一种含有悬浮物或溶质,且固体沉积物系藉由悬浮物或溶质之材料而形成。8.如申请专利范围第1项之方法,其中固体沉积物系由该液体材料中至少一种之固化而形成。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该固体沉积物系具导电性。10.如申请专利范围第3项之方法,其中该第一种及第三种沉积物系限制沉积物,而第二种沉积物系为包含导电性材料之靶极沉积物。11.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一种及第三种沉积物系包含导电性材料之靶极沉积物,而第二种沉积物系为间隔沉积物。12.如申请专利范围第10或11项之方法,其中该导电性材料系为金属粒子之悬浮物,例如Au、Ag、Cu、Pt、Pd或Al粒子。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该悬浮物系处于非极性有机溶剂中。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一种及第三种沉积物系包含水或极性有机溶剂。15.如申请专利范围第10或11项之方法,其中该导电性材料系含有导电性聚合物。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该聚合物系为聚(3,4-乙二氧基吩)、其衍生物、聚苯胺或其衍生物。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该第二种沉积物系包含非极性有机溶剂。18.如申请专利范围第17项之方法,其中第二种沉积物之溶剂系包含聚合物溶质。19.一种制造薄膜电晶体之方法,其中该源极及汲极系根据申请专利范围第11及15至18项中任一项之方法而自第一种及第三种沉积物制得。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该通道长度小于50微米。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该通道长度实质上系为10微米。22.一种制造积体电路之方法,其中该数据线或信号线系根据申请专利范围第10及12至14项中任一项之方法如同第二种沉积物般地制得。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该数据线或信号线宽度系小于50微米。24.如申请专利范围第23项之方法,其中该宽度实质上系为10微米。25.一种制造主动阵列型薄膜电晶体阵列之方法,其中该薄膜电晶体系根据申请专利范围第19及21项中任一项之方法制造。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该信号线或数据线系根据如申请专利范围第22至24项中任一项之方法制造。27.如申请专利范围第25或26项之方法,其中该像素电极系藉喷墨印刷制造。28.如申请专利范围第1至8项中任一项之方法,其中沉积物皆非导电性。29.一种制造光学导波器之方法,其中该导波器系根据申请专利范围第2项之方法如同第二种沉积物般地制造。30.如申请专利范围第29项之方法,其中该第二种沉积物系包含聚合物。31.一种制造电浆显示面板之隔板的方法,其中壁结构系根据申请专利范围第2项之方法如同第二种沉积物般地制造。32.如申请专利范围第31项之方法,其中该第二种沉积物系包含有机胶体。33.如申请专利范围第31项之方法,其中该第三区域系包含聚合物。34.如申请专利范围第1至11项中任一项之方法,其中该沉积物系为线性沉积。35.如申请专利范围第19至21项中任一项之方法,其中该沉积物系为线性沉积。36.如申请专利范围第22至24项中任一项之方法,其中该沉积物系为线性沉积。37.如申请专利范围第25或26项之方法,其中该沉积物系为线性沉积。38.如申请专利范围第29或30项之方法,其中该沉积物系为线性沉积。39.如申请专利范围第31至33项中任一项之方法,其中该沉积物系为线性沉积。图式简单说明:图1系为示意说明力图;图2系为顶部闸极薄膜电晶体的示意剖面图;图3系为在喷墨印刷头喷射之后撞击于基材上之墨滴的示意图;图4系为施加液滴于基材上之喷墨头的示意图;图5系为施加于基材之液层的示意平面图;图6系为图5之液体的示意剖面图;图7系为施加液体于基材上之步骤的示意平面图;图8系为根据备择方法施加液体于基材上之示意平面图;图9系为主动阵列型TFT阵列之示意平面图;图10系为根据另一方法施加液层于基材上之示意平面图;且图11系为图10之液层的示意剖面图。 |
