| 主权项 |
1.一种金属矽化物的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,其中于该基底上形成有一介电层;于该介电层上形成一导体层;于该导体层上形成一含氮黏着层;以及于该黏着层上形成一金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物的制造方法,其中该黏着层包括一富含氮层(nitrogen rich film)。3.如申请专利范围第2项所述之金属矽化物的制造方法,其中形成该黏着层的方法包括使用化学气相沈积法临场掺杂浓度为2*1018原子/立方公分至5*1019原子/立方公分左右的氮离子。4.如申请专利范围第2项所述之金属矽化物的制造方法,其中该黏着层的厚度为5埃至40埃左右。5.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物的制造方法,其中该黏着层包括一氮离子植入层。6.如申请专利范围第5项所述之金属矽化物的制造方法,其中形成该黏着层的方法包括使用一离子植入法,以1仟电子伏特至5仟电子伏特的植入能量,将浓度为2*1018原子/立方公分至5*1019原子/立方公分左右的氮离子植入该导体层中。7.如申请专利范围第5项所述之金属矽化物的制造方法,其中该黏着层的厚度为20埃左右。8.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物的制造方法,其中该金属矽化物层的材质系选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴与矽化镍所组之族群其中之一。9.如申请专利范围第1项所述之金属矽化物的制造方法,其中该导体层的材质包括多晶矽。10.一种金属矽化物的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,其中于该基底上形成有一介电层;于该介电层上形成一导体层;对该导体层进行一去光滑(deglaze)制程;于该导体层上形成一含氮黏着层;以及于该黏着层上形成一金属矽化物层。11.如申请专利范围第10项所述之金属矽化物的制造方法,其中该去光滑制程包括对该导体层以氢氟酸进行气相蚀刻。12.如申请专利范围第10项所述之金属矽化物的制造方法,其中该黏着层包括一富含氮层(nitrogen rich film)。13.如申请专利范围第12项所述之金属矽化物的制造方法,其中形成该黏着层的方法包括使用化学气相沈积法临场掺杂浓度为2*1018原子/立方公分至5*1019原子/立方公分左右的氮离子。14.如申请专利范围第12项所述之金属矽化物的制造方法,其中该黏着层的厚度为5埃至40埃左右。15.如申请专利范围第10项所述之金属矽化物的制造方法,其中该黏着层包括一氮离子植入层。16.如申请专利范围第15项所述之金属矽化物的制造方法,其中形成该黏着层的方法包括使用一离子植入法,以1仟电子伏特至5仟电子伏特的植入能量,将浓度为2*1018原子/立方公分至5*1019原子/立方公分左右的氮离子植入该导体层中。17.如申请专利范围第15项所述之金属矽化物的制造方法,其中该黏着层的厚度为20埃左右。18.如申请专利范围第10项所述之金属矽化物的制造方法,其中该金属矽化物层的材质系选自矽化钛、矽化钨、矽化钽、矽化钼、矽化钴与矽化镍所组之族群其中之一。19.如申请专利范围第10项所述之金属矽化物的制造方法,其中该导体层的材质包括多晶矽。图式简单说明:第1A至1D图所绘示为依照本发明较佳实施例之一种金属矽化物之制造流程剖面示意图;以及第2A至2D图所绘示为依照本发明另一较佳实施例之一种金属矽化物之制造流程剖面示意图。 |
