用于化合物半导体发光装置之磊晶生基材、制造彼之方法及发光装置

摘要

为改善发光效率且不降损发光层结构的保护效能，本发明提供一种与发光层结构相接触之由第一至第三层所组成之三层p–型层结构。第一层系n–型AlGaN层，其作为保护层，第三层系GaN：Mg层，其作为接触层，且第二层系AlGaN：Mg层，其形成于该二层之间充当中间层。提供该中间层可使InGaN层在上述各层之生长过程中受到完全地保护而不为热所影响，即使是制造薄层之该n–型AlGaN层时亦然，因而可使该GaN：Mg层接近发光层结构以增进电洞注入该发光层结构之效率，从而提高发光效率。