发明名称 具有多层布线结构之半导体晶片装置及其之封装方法
摘要 一种具有多层布线结构之半导体晶片装置之封装方法,包含如下之步骤:提供一半导体晶元,该半导体晶元具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫;于该晶元的焊垫安装表面上形成一第一绝缘层,该第一绝缘层系对应于该晶元的焊垫来形成有数个用于曝露对应之焊垫的通孔;于该等焊垫中之至少一者上形成一第一导电体,该等第一导电体具有一与该焊垫电气连接的第一端部和一从该焊垫向上延伸至该第一绝缘层之顶表面上的第二端部;于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层,该第二绝缘层系对应于该等第一导电体的第二端部来形成有数个用于曝露对应之第一导电体之第二端部的通孔;于每一第一导电体之第一端部上形成另一导电体;于该第二绝缘层上形成一第三绝缘层,该第三绝缘层系对应于该等另一导电体来形成有数个用于曝露对应之另一导电体的通孔;及于每一该等另一导电体上系形成有一导电球体。
申请公布号 TW200409319 申请公布日期 2004.06.01
申请号 TW091134054 申请日期 2002.11.22
申请人 沈育浓 发明人 沈育浓
分类号 H01L23/48;H01L23/488 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
地址 台北市内湖区丽山街三二八巷六十号