半导体基板之制造方法及场效型电晶体之制造方法以及半导体基板及场效型电晶体

摘要

本发明乃在半导体基板和场效型电晶体及制造方法中，为了降低贯穿转位(位错)密度且也使表面粗糙度变小，而具备有：用于磊晶成长从基底(衬底)材料之Ge组成比予以逐渐增加Ge组成比的SiGe之倾斜组成层用的过程(步骤)；以重复复数次由倾斜组成层之最后Ge组成比来进行磊晶成长SiGe的一定组成层于倾斜组成层上之过程，来予以成膜Ge组成比以朝(生)成膜方向具有倾斜且成阶梯状变化的SiGe层之过程；在于形成SiGe层之途中或在形成后，以超过磊晶成长温度来实施的热处理过程；及由抛光(磨光)去除在SiGe形成后于热处理所产生的表面凹凸用之抛光过程。