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本发明揭示一种能够防止基材弯曲，并具有含绝佳结晶度之氮化物系统ΙΙΙ–Ⅴ族合成物半导体层的半导体装置。该氮化物系统ΙΙΙ–Ⅴ族合成物半导体层的厚度等于或小于8μm，并且提供在以蓝宝石所制成的基材上。此可减少因基材与氮化物系统ΙΙΙ–Ⅴ族合成物半导体层间热膨胀系数及晶格常数的差异所造成的基材弯曲。形成氮化物系统ΙΙΙ–Ⅴ族合成物半导体层的n面接触层部份具有藉由从种子结晶层的结晶部份往横向方向生长所制成的横向生长区。在该横向生长区中，位错密集限制低，因此，对应于该n面接触层上形成之每层横向生长区的区域具有绝佳的结晶度。 |
