| 摘要 |
本发明揭示一种用以监视在一抛光处理中一晶圆表面抛光状态之方法，该方法包含以下步骤：提供一欲抛光晶圆(16)，该晶圆(16)于一欲抛光之透明或半透明层(22)下具有至少一光学可辨特征(20)；选择一或多个该等特征(20)用以监视；于一或多个该等所选特征(20)范围内测量一光学对比剖面(62、72、82、92)；根据该所测量对比剖面(62、72、82、92)决定该晶圆(16)之表面的抛光状态；重复测量该光学对比剖面(62、72、82、92)以及决定该抛光状态之步骤，直到达到一预定抛光状态为止。本发明亦揭示一种用以藉由化学机械抛光(CMP)之抛光器具来抛光晶圆之方法以及用以监视在一抛光处理中一晶圆(16)表面抛光状态之装置。 |
