表面处理方法、半导体装置、半导体装置之制造方法、及处理装置

摘要

本发明系藉由超临界流体4处理形成有构造体之表面的表面处理方法，其特征为：于超临界流体4内添加铵氢氧化物、烷醇胺、氟化胺、氟化氢酸等作为溶解辅助剂5。此外，超临界流体4内，除溶解辅助剂5之外，亦可添加界面活性物质6。界面活性物质6内亦可使用极性溶剂。藉此可提供一种仅藉由使用超临界流体之处理即可确实地清除残渣物的表面处理方法。