| 摘要 |
使形成在一半导体晶圆上之金属层加以调适地电解抛光。将金属层之一部位加以电解抛光，对该金属层部位各别加以电解抛光。对该部位加以电解抛光前，先决定要加以电解抛光之该金属层部位之厚度大小。根据厚度大小加以调整要电解抛光部位之量。使形成在一半导体晶圆上之金属层加以抛光，其中之金属层是形成在一障壁层上。障壁层则形成在一具有一凹陷区及一非凹陷区之电介层上，且其中之金属层覆盖电介层之凹陷区及非凹陷区。将金属层加以抛光，移除覆盖非凹陷区之金属层。将凹陷区中之金属层加以抛光至高度低于非凹陷区，该高度大或等于障壁厚度。 |
