制作半导体元件接面区域之方法

摘要

一种制作半导体元件接面区域的方法，其方法包含提供一半导体底材，形成一闸极结构于半导体底材上，植入一杂质原子于半导体底材形成一接面区域，形成一绝缘层于闸极结构及半导体底材上，利用含碳电浆对绝缘层进行渗碳处理，形成一间隙壁于闸极结构侧壁上，将杂质原子植入半导体底材形成与接面区域相邻的源／汲极，及对半导体底材进行一热处理。