| 主权项 |
1.一种半导体装置,是属于一种在基板上具有复数 个讯号输入端子,及分别从该复数个讯号输入端子 延伸的复数条讯号输入线,及电性连接于该讯号输 入线中预定的讯号输入线的途中位置的静电保护 电路之半导体装置,其特征为: 上述复数个讯号输入端子是沿着上述基板的第1基 板边而配列,且上述复数条讯号输入线是分别从上 述复数个讯号输入端子朝向上述基板中与上述第1 基板边对向的第2基板边而延伸,且于该讯号输入 线的侧方位置配置有上述静电保护电路, 用以供应定电位给上述静电保护电路的定电位线 是形成至少避开和上述预定的讯号输入线中从上 述讯号输入端子到上述静电保护电路的配线部份 交叉的领域, 连接于上述定电位线的端子亦沿着上述第1基板边 而配列。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其 中上述定电位线比形成有上述讯号输入端子及上 述静电保护电路的领域还要更通过上述第1基板边 侧或上述第2基板边侧来延伸至上述静电保护电路 。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述 定电位线具有:供应高电位给上述静电保护电路的 高电位线,及供应低电位给上述静电保护电路的低 电位线; 上述低电位线及高电位线的其中一方的定电位线 比形成有上述讯号输入端子及上述静电保护电路 的领域还要更通过上述第2基板边侧来延伸至上述 静电保护电路; 另一方的定电位线比形成有上述讯号输入端子及 上述静电保护电路的领域还要更通过上述第1基板 边侧来延伸至上述静电保护电路。4.如申请专利 范围第1项之半导体装置,其中上述定电位线具有: 供应高电位给上述静电保护电路的高电位线,及供 应低电位给上述静电保护电路的低电位线; 上述低电位线及高电位线皆比形成有上述讯号输 入端子及上述静电保护电路的领域还要更通过上 述第1基板边侧或上述第2基板边侧来延伸至上述 静电保护电路。5.如申请专利范围第1项之半导体 装置,其中上述静电保护电路具备:以能够形成正 常OFF状态之方式来将闸极与源极固定于定电位之 薄膜电晶体。6.如申请专利范围第1项之半导体装 置,其中上述静电保护电路具备:以能够形成正常 OFF状态之方式来将闸极与源极固定于定电位的状 态下串联之复数个薄膜电晶体。7.如申请专利范 围第6项之半导体装置,其中上述复数个薄膜电晶 体具备双闸构造或三闸构造,藉此来形成串联复数 个薄膜电晶体之构造。8.如申请专利范围第3或4项 之半导体装置,其中上述静电保护电路具备:以能 够形成正常OFF状态之方式来将闸极与源极固定于 定电位的状态下串联之第1导电型的薄膜电晶体及 第2导电型的薄膜电晶体。9.如申请专利范围第1项 之半导体装置,其中上述静电保护电路具备:以能 够形成正常OFF状态之方式来将闸极与源极固定于 定电位的状态下并联之复数个薄膜电晶体。10.如 申请专利范围第6或9项之半导体装置,其中上述薄 膜电晶体具备LDD构造。11.一种光电装置,是属于一 种将申请专利范围第1项所规定之半导体装置作为 保持光电物质的电晶体阵列基板用之光电装置,其 特征为: 上述讯号输入线是延伸至用以驱动矩阵状形成于 上述电晶体阵列基板上的画素之驱动电路为止。 12.如申请专利范围第11项之光电装置,其中上述电 晶体阵列基板是在对向配置于该电晶体阵列基板 的对向基板之间保持上述光电物质之液晶。13.一 种电子机器,其特征是具备申请专利范围第11或12 项所规定之光电装置。图式简单说明: 第1图是表示由对向基板侧所见液晶装置及形成于 上面的各构成要素的平面图。 第2图是表示第1图的H-H'剖面图。 第3图是表示使用于第1图及第2图所示的液晶装置 的驱动电路内藏型的TFT阵列基板的构成模式方块 图。 第4图是表示为了在第1图及第2图所示的液晶装置 中构成画像显示领域,而形成矩阵状的复数个画素 的各种元件及配线等之等效电路图。 第5图是表示在第1图及第2图所示的液晶装置中形 成有资料线,扫描线,及画素电极等的TFT阵列基板 中相邻接的画素平面图。 第6图是表示在相当于第5图的A-A'线的位置切断第1 图及第2图所示的液晶装置的画像显示领域的一部 份时的剖面图。 第7图是表示形成于第1图及第2图所示的液晶装置 的画像显示领域的周边领域之周边电路的平面图 。 第8图是表示第7图之驱动电路用的TFT剖面图。 第9图是表示在使用于本发明的实施形态1的液晶 装置的TFT阵列基板中,静电保护电路及其周边的布 局之等效电路图。 第10图是表示在使用于本发明的实施形态1的液晶 装置的TFT阵列基板中,静电保护电路及其周边的布 局之平面图。 第11图是表示在使用于本发明的实施形态1的液晶 装置的TFT阵列基板中,以第10图的C-C′线,C1-C1′线, 及C2-C2′线来切断构成静电保护电路的TFT及配线 的交叉部份等情况时的剖面图。 第12(A)~(D)图是表示本发明的实施形态1的TFT阵列基 板的制造方法的过程剖面图。 第13(E)~(G)图是表示本发明的实施形态1的TFT阵列基 板的制造方法的过程剖面图。 第14(H)~(K)图是表示本发明的实施形态1的TFT阵列基 板的制造方法的过程剖面图。 第15(L)~(O)图是表示本发明的实施形态1的TFT阵列基 板的制造方法的过程剖面图。 第16(P)~(S)图是表示本发明的实施形态1的TFT阵列基 板的制造方法的过程剖面图。 第17图是表示在使用于本发明的实施形态2的液晶 装置的TFT阵列基板中,静电保护电路及其周边的布 局之等效电路图。 第18图是表示在使用于本发明的实施形态1的液晶 装置的TFT阵列基板中,静电保护电路及其周边的布 局之平面图。 第19图是表示在使用于本发明的实施形态3的液晶 装置的TFT阵列基板中,静电保护电路及其周边的布 局之等效电路图。 第20图是表示在使用于本发明的实施形态3的液晶 装置的TFT阵列基板中,静电保护电路及其周边的布 局之平面图。 第21(A),(B)图是分别用以说明在使用于适用本发明 的液晶装置的TFT阵列基板中,构成静电保护电路时 所使用的TFT。 第22图是表示使用本发明的液晶装置之电子机器 的电路构成方块图。 第23(A),(B)图是分别用以说明使用本发明的液晶装 置之电子机器的一例,亦即携带型个人电脑的说明 图,及行动电话的说明图。 第24图是表示在使用于以往的液晶装置的TFT阵列 基板中,静电保护电路及其周边的布局之等效电路 图。 第25图是表示在使用于以往的液晶装置的TFT阵列 基板中,静电保护电路及其周边的布局之平面图。 第26图是表示在使用于以往的液晶装置的TFT阵列 基板中,以第25图的D-D′线,D1-D1′线,及D2-D2′线来 切断构成静电保护电路的TFT及配线的交叉部份等 情况时的剖面图。 |
