矽晶圆之制造方法及矽晶圆

摘要

依本发明，于矽晶圆之至少一侧的面上进行复数段之研磨的矽晶圆之制造方法，提供采用急速加热，急速冷却装置，在氢及氩之混合气体气围下取代该复数段之研磨的内，最后进行的研磨，进行热处理之矽晶圆的制造方法，及以此方法制造的矽晶圆。由而无晶圆表面之加工变形及损伤，表面粗度经予显着改善，且以高生产性的制造无滑移差排之矽晶圆。

主权项

1.一种矽晶圆之制造方法,其系于晶圆之至少一面 上进行多段研磨之矽晶圆的制造方法,其特征系采 用急速加热,急速冷却装置,在氢气之比率为20~40容 量%之氢气与氩气之混合气体气氛下进行热处理, 取代该多段研磨中最后进行的研磨。2.如申请专 利范围第1项之矽晶圆之制造方法,其中该热处理 系在1100~1300℃之温度进行1~60秒钟。3.一种矽晶圆, 系以申请专利范围第1或2项之方法所制造的矽晶 圆,其特征系于加工变形以PAD値计为12.5pm以下,表 面粗糙度以P-V値计在1.0nm以下,且无滑移差排。图 式简单说明: 第1图为表示出可急速加热,急速冷却矽晶圆之装 置的一例之概略图。