| 主权项 |
1.一种形成陶瓷质用组成物,其特征为由矽胺烷系 聚合物,及下列式(VII)所示之链状胺化合物或环状 化合物、及至少一种选自过氧化氢、过氧化钠、 过氧化钙、过氧化氢加成物、过氧酸、过氧酸盐 之过氧化物陶瓷质化促进剂、及有机溶剂之混合 物; 前述陶瓷质化促进剂于有胺化合物下,相对于矽胺 烷系聚合物之添加量为1重量ppm以上; 前述陶瓷质化促进剂于有过氧化物下,相对于矽胺 烷系聚合物之添加量为0.1重量ppm以上; R5R6R7N 式(VII) (式中,R5.R6.R7为各种氢原子或有机基、至少有一为 甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺 、丙胺、二丙胺、三丙胺、丁胺、二丁胺、三丁 胺、戊胺、二戊胺、三戊胺、己胺、二己胺、三 己胺、庚胺、二庚胺、辛胺、二辛胺、三辛胺、 苯胺、二苯胺、三苯胺、啶、-皮考、- 皮考、-皮考、六氢啶、二甲基啶、嘧 啶、嗒、DBU(1,8-二氮杂双环[5,4,0]7-十一碳烯)、 DBN(1,5-二氮杂双环[4,3,0]5-壬烯)之有机基)所成。2. 一种陶瓷质物质之制造方法,其特征为使用如申请 专利范围第1项之形成陶瓷质用组成物,使水蒸汽 接触使该聚合物进行陶瓷质化者。3.一种陶瓷质 物质之制造方法,其特征为分别或同时使至少一种 选自胺化合物、酸化合物及过氧化物中之陶瓷质 化促进剂之蒸汽及水蒸汽,与矽胺烷系聚合物接触 ,以陶瓷质化该聚合物者。4.一种陶瓷质物质,其特 征为藉由如申请专利范围第2或3项之方法所得者 。5.一种对固体表面形成陶瓷质被膜之方法,其特 征为在固体表面上形成由矽胺烷系聚合物,与如申 请专利范围第1项之形成陶瓷质化组成物所成之被 膜,使水蒸汽与此被膜相接触,使该被膜陶瓷质化 者。6.一种对固体表面形成陶瓷质被膜之方法,其 特征为在固体表面上形成矽胺烷系聚合物之被膜, 使该被膜与至少一种选自胺化合物、酸性化合物 及过氧化物中之陶瓷质化促进剂的水蒸汽分别或 同时接触,以陶瓷质化该被膜者。7.如申请专利范 围第5或6项之方法,其中使水蒸汽、水、酸性水溶 液或硷性水溶液与陶瓷质被膜相接触。8.一种固 体制品,其特征为表面上具有以如申请专利范围第 5~7项中任一方法所形成之陶瓷质被膜。9.一种固 体制品上形成陶瓷质被膜的方法,其特征为包含 (i)在固体表面上涂布含有矽胺烷系聚合物,及下列 式(VII)所示之链状胺化合物或环状化合物、及至 少一种选自过氧化氢、过氧化钠、过氧化钙、过 氧化氢加成物、过氧酸、过氧酸盐之过氧化物陶 瓷质化促进剂、及有机溶剂之混合物; 前述陶瓷质化促进剂于有胺化合物下,相对于矽胺 烷系聚合物之添加量为1重量ppm以上; 前述陶瓷质化促进剂于有过氧化物下,相对于矽胺 烷系聚合物之添加量为0.1重量ppm以上;在该固体制 品上形成该涂料被膜之步骤; (ii)乾燥该固体制品上之涂料被膜,在该固体制品 上形成该聚合物被膜之乾燥步骤; (iii)使水蒸汽与该固体制品上之聚合物被膜相接 触,以陶瓷质化聚合物之陶瓷质化步骤; R5R6R7N 式(VII) (式中,R5.R6.R7为各种氢原子或有机基、至少有一为 甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺 、丙胺、二丙胺、三丙胺、丁胺、二丁胺、三丁 胺、戊胺、二戊胺、三戊胺、己胺、二己胺、三 己胺、庚胺、二庚胺、辛胺、二辛胺、三辛胺、 苯胺、二苯胺、三苯胺、啶、-皮考、- 皮考、-皮考、六氢啶、二甲基啶、嘧 啶、嗒、DBU(1,8-二氮杂双环[5,4,0]7-十一碳烯)、 DBN(1,5-二氮杂双环[4,3,0]5-壬烯)之有机基)所成。10. 如申请专利范围第9项之方法,其中使水蒸汽存在 于该乾燥步骤中,同时进行该乾燥步骤中,同时进 行该乾燥步骤与该陶瓷质化步骤。11.一种在固体 制品上形成陶瓷质被膜的方法,其特征为包含 (i)在固体表面上涂布含有矽胺烷系聚合物之涂料, 在该固体制品上形成该涂料被膜之步骤; (ii)乾燥该固体制品上之涂料被膜,在该固体制品 上形成该聚合物被膜之乾燥步骤; (iii)使含有至少一种选自胺化合物、酸化合物及 过氧化物中之陶瓷质化促进剂的蒸汽及水蒸汽分 别或同时与该固体制品上之聚合物被膜相接触,以 陶瓷质化聚合物之陶瓷质化步骤; R5R6R7N 式(VII) (式中,R5.R6.R7为各种氢原子或有机基、至少有一为 甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺 、丙胺、二丙胺、三丙胺、丁胺、二丁胺、三丁 胺、戊胺、二戊胺、三戊胺、己胺、二己胺、三 己胺、庚胺、二庚胺、辛胺、二辛胺、三辛胺、 苯胺、二苯胺、三苯胺、啶、-皮考、- 皮考、-皮考、六氢啶、二甲基啶、嘧 啶、嗒、DBU(1,8-二氮杂双环[5,4,0]7-十一碳烯)、 DBN(1,5-二氮杂双环[4,3,0]5-壬烯)之有机基)所成。12. 如申请专利范围第11项之方法,其中使该陶瓷质化 促进剂之蒸汽与水蒸汽存在于该乾燥步骤中,同时 进行乾燥步骤与陶瓷质化步骤者。13.如申请专利 范围第9~12项中任一项的方法,其中该固体制品为 电子制品中所用基板或元件。14.如申请专利范围 第9~12项之任一项的方法,其中该固体制品为长条 状之塑胶薄膜。15.一种表面上具有陶瓷质被膜之 固体制品,其特征为藉由如申请专利范围第9~14项 中任一项的方法所得者。16.如申请专利范围第15 项之固体制品,其中该陶瓷质被膜中之氮含量系以 原子比为0.005~5%。图式简单说明: 图1系表示参考例1所得全氢化聚矽胺烷之IR光谱图 。 图2系表示参考例2所得聚甲基(氢化)矽胺烷之IR光 谱图。 图3系表示比较例所得聚矽胺烷处理品之IR光谱图 。 图4系表示实施例1所得聚矽胺烷处理品之IR光谱图 。 图5系表示实施例2所得聚矽胺烷处理品之IR光谱图 。 图6系表示实施例3所得聚矽胺烷处理品之IR光谱图 。 图7系表示实施例4所得聚矽胺烷处理品之IR光谱图 。 图8系表示实施例5所得聚矽胺烷处理品之IR光谱图 。 图9系表示实施例6所得聚矽胺烷处理品之IR光谱图 。 图10系表示实施例6所得聚矽胺烷处理品之IR光谱 图在2900cm-1附近之扩大图。 图11系表示实施例7所得聚矽胺烷处理品之IR光谱 图。 图12系表示实施例8所得聚矽胺烷处理品之IR光谱 图。 图13系表示实施例9所得聚矽胺烷处理品之IR光谱 图。 图14系表示实施例10所得聚矽胺烷处理品之IR光谱 图。 图15系表示实施例11所得聚矽胺烷处理品之IR光谱 图。 |
