| 主权项 |
1.一种测量晶圆之零倾斜角度的方法,包含:以已完成之一接受度测试中,晶圆零倾斜角度之一配方程式为一监测配方程式;使用该监测配方程式进行多次掺杂程序,在此任一该掺杂程序皆是让被掺杂之一晶圆的一倾斜角度大约为零倾斜角度,并且不同该掺杂程序对应到不同之该倾斜角度;以及测量该些掺杂程序之结果,并以测量结果明显与其它该些掺杂程序不同之一特殊该掺杂程序中一晶圆之倾斜角度为一零倾斜角度。2.如申请专利范围第1项之测量晶圆之零倾斜角度的方法,任一该掺杂程序系将多数离子以大约与该晶圆表面垂直的方向掺杂至该晶圆中。3.如申请专利范围第1项之测量晶圆之零倾斜角度的方法,系测量被掺杂过晶圆的表面变化程度値。4.如申请专利范围第3项之测量晶圆之零倾斜角度的方法,系以表面变化程度値标准差最大之一该掺杂程序中该晶圆之倾斜角度为一零倾斜角度。5.如申请专利范围第3项之测量晶圆之零倾斜角度的方法,当任一该掺杂程序所对应之表面变化程度値标准差皆小于一预定値时,任一该掺杂程序所对应之晶圆倾斜角度皆不为所需要之一零倾斜角度。6.如申请专利范围第5项之测量晶圆之零倾斜角度的方法,该预定値约为百分之六。7.如申请专利范围第1项之测量晶圆之零倾斜角度的方法,系测量被掺杂过晶圆的阻抗。8.如申请专利范围第1项之测量晶圆之零倾斜角度的方法,系以阻抗标准差最大之一该掺杂程序中该晶圆之倾斜角度为一零倾斜角度。9.如申请专利范围第7项之测量晶圆之零倾斜角度的方法,当任一该掺杂程序所对应之阻抗标准差皆小于一预定値时,任一该掺杂程序所对应之晶圆倾斜角度皆不为所需要之一零倾斜角度。10.如申请专利范围第9项之测量晶圆之零倾斜角度的方法,该预定値约为百分之六。11.一种生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,包含:执行一接受度测试,校正晶圆之一零倾斜角度,并以晶圆零倾斜角度时之一配方程式为一监测配方程式;以及在生产线之一例行校正维修程序中,使用该监测配方程式进行一晶圆倾斜角度归零程序,该晶圆倾斜角度归零程序包含:使用该监测配方程式进行多次掺杂程序;以及测量该些掺杂程序之结果,并以测量结果明显不同之一特殊该掺杂程序中晶圆之倾斜角度为一零倾斜角度。12.如申请专利范围第11项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,任一该掺杂程序皆是让被掺杂之一晶圆的一倾斜角度大约为零倾斜角度,并且不同该掺杂程序对应到不同之该倾斜角度。13.如申请专利范围第11项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,任一该掺杂程序系将多数离子以大约与该晶圆表面垂直的方向掺杂至该晶圆中。14.如申请专利范围第11项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,系测量被掺杂过晶圆的表面变化程度値。15.如申请专利范围第14项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,系以表面变化程度値标准差最大之一该掺杂程序中该晶圆之倾斜角度为一零倾斜角度。16.如申请专利范围第14项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,当任一该掺杂程序所对应之表面变化程度値标准差皆小于一预定値时,任一该掺杂程序所对应之晶圆倾斜角度皆不为所需要之一零倾斜角度。17.如申请专利范围第14项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,该预定値约为百分之三至百分之九。18.如申请专利范围第11项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,系测量被掺杂过晶圆的阻抗。19.如申请专利范围第18项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,系以阻抗标准差最大之一该掺杂程序中该晶圆之倾斜角度为一零倾斜角度。20.如申请专利范围第18项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,当任一该掺杂程序所对应之阻抗标准差皆小于一预定値时,任一该掺杂程序所对应之晶圆倾斜角度皆不为所需要之一零倾斜角度。21.如申请专利范围第18项之生产线上快速校正晶圆倾斜角度的方法,该预定値约为百分之三至百分之九。图式简单说明:第1图系本发明一较佳实施例的基本流程图;第2A图与第2B图系一组可验证本发明之概念的实验数据图;以及第3A图与第3B图系本发明另一较佳实施例的基本流程图。 |
