Halbleitervorrichtung

摘要

Auf einem Halbleitersubstrat (2) ist ein Siliziumoxidfilm (8) ausgebildet und mit einer Ausnehmung (8a) versehen. In der Ausnehmung (8a) ist eine Reflektorschicht aus Kupfer (12a) als eine Blockierschicht mit einem dazwischengefügten Barrierenmetall (10) angeordnet. Die Reflektorschicht aus Kupfer (12a) ist mit einem Siliziumoxidfilm (14) bedeckt und darauf ist eine mit einer Mehrzahl von Schmelzelementen (16a) versehene Schmelzelementregion (15) vorgesehen. Die Reflektorschicht aus Kupfer (12a) weist eine nach unten zurückgesetzte Reflexionsfläche zum Reflektieren eines Laserstrahls auf. Die Reflektorschicht aus Kupfer (12a) ist dergestalt angeordnet, daß sie, in einer Ebene betrachtet, im wesentlichen eine Gesamtheit der Schmelzelementregion (15) überdeckt. Ein zum Durchschmelzen des Schmelzelementes abgestrahlter Laserstrahl kann eine verringerte Wirkung auf eine Umgebung der Schmelzelementregion (15) haben. Eine Halbleitervorrichtung verringerter Größe kann erhalten werden.