| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种半导体装置及其制造方法，其特征在于，使隔着栅极绝缘层与TFT(10)的栅极电极(20)电容结合的第1半导体层(15)，及隔着栅极绝缘层与保持电容的保持电容线(42)电容结合的第2半导体层(16)相互分开，并且由金属配线(43)连接第1半导体层(15)与第2半导体层(16)。即，分别使TFT(10)的栅极电极(20)与第1半导体层(15)电容结合，及使保持电容的保持电容线(42)与第2半导体层(16)电容结合，由于该结合而使各半导体层的电位产生变化，因此，不会产生大的电位差，可防止绝缘破坏或绝缘泄漏的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN1499642A | 申请公布日期 | 2004.05.26 |
| 申请号 | CN200310113460.7 | 申请日期 | 2003.11.11 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 濑川泰生;青田雅明;山田努 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L29/78;G02F1/133;G09F9/30 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其具有：形成在基板上的薄膜晶体管；以及与所述薄膜晶体管相邻接而形成，用以保持通过该薄膜晶体管所供给的电压的保持电容；其特征在于，使隔着绝缘层与所述薄膜晶体管的栅极电极电容结合的第1半导体层、及隔着绝缘层与所述保持电容的保持电容电极电容结合的第2半导体层相互分开，并且由金属配线连接所述第1及第2半导体层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||