| 发明名称 | 在半导体集成电路器件中形成自对准接触结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种在集成电路器件中形成自对准结构的方法，包括以下步骤：在衬底上形成多个互连图形；用帽盖绝缘层覆盖互连图形的表面和衬底的表面；在帽盖绝缘层上形成上部层间绝缘层填充互连图形之间的间隙区域；依次地构图上部层间绝缘层和帽盖绝缘层在互连图形之间形成第一接触孔；以及通过选择性湿腐蚀上部层间绝缘层，拓宽第一接触孔形成第二接触孔，露出互连图形侧壁上的帽盖绝缘层。此方法提高了工艺的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1151550C | 申请公布日期 | 2004.05.26 |
| 申请号 | CN00122482.4 | 申请日期 | 2000.08.03 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴钟佑;金允基;朴东建 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/283 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种在集成电路器件中形成自对准接触结构的方法，包括以下步骤：在衬底上形成多个互连图形；用帽盖绝缘层覆盖互连图形的表面和衬底的表面；在帽盖绝缘层上形成一上部层间绝缘层，填充互连图形之间的间隙区域；依次地构图上部层间绝缘层和帽盖绝缘层，在互连图形之间形成第一接触孔；以及通过选择性湿腐蚀上部层间绝缘层，拓宽第一接触孔形成第二接触孔，露出互连图形侧壁上的帽盖绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||