有效设计内部布线的半导体存储装置

摘要

在空字线配置区域(DWLR)中配置第2金属布线(DMTS)，并使构成普通字线配置区域(NWLRA)中配置的字线(WL)的低电阻金属布线(MTS)与下层的栅极布线(TG)的连接错位。在位线交叉区域(TWSA)中配置存储器单元栅极布线，相互连接存储器单元的存取晶体管的栅极，并用上层的金属布线(MTFB、MTSB)来形成位线的交叉结构。改善存储器单元阵列区域的面积利用效率。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备排列成矩阵状的多个存储器单元，所述多个存储器单元包含存储数据的普通存储器单元；和维持所述普通存储器单元形状用的空单元，具备对应于存储器单元行配置、分别连接对应行的存储器单元的多个行选择线，所述行选择线包含连接所述普通存储器单元的普通存储器行选择线；和连接所述空单元的空行选择线，具备对应于各存储器单元列配置、分别连接对应列的存储器单元的多个位线对，所述多个位线对分别在事先分配的扭曲区域中选择地具有交叉部，并在所述扭曲区域中配置所述行选择线，并用所述行选择线和位线上层的布线来形成所述交叉部，具备多个低电阻导线，分别对应于所述行选择线沿行方向延伸并配置在除了所述扭曲区域的区域中，在规定区域中与对应的行选择线电连接，所述低电阻导线形成于所述行选择线上层的布线层中，具备连接布线，在所述规定区域，将所述低电阻导线连接于对应的行选择线上，所述连接布线包含：电连接配置在所述扭曲区域中的行选择线及对应的低电阻导线的连接布线；和将对应于所述空行选择线配置的低电阻导线电连接到普通行选择线上的连接布线。