发明名称 蚀刻在玻璃基片类型的透明基片上沉积的层的方法
摘要 对具有导电性能的层(11)进行电化学蚀刻的方法,该层(11)是掺杂金属氧化物类型并且在玻璃类型的透明基片(10)上,该类型的透明基片(10)装备一可以在蚀刻之后被除去的掩模,该方法在于:将该层的至少一个蚀刻区域(13)与一导电溶液(20)接触,将一电极(30)浸入到该溶液(20)中并且将该电极(30)在离该区域(13)一距离(d)的对面设置,在该电极(30)和待蚀刻层(11)之间施加一电压(U),其特征在于该电极具有一长形形状以便在该层的多个区域上沿该基片的宽度(l)进行蚀刻。
申请公布号 CN1500158A 申请公布日期 2004.05.26
申请号 CN02806039.3 申请日期 2002.02.27
申请人 法国圣戈班玻璃厂 发明人 C·马扎拉;N·埃尔克希亚蒂;J·吉拉尔德
分类号 C25F3/14;H01J9/02 主分类号 C25F3/14
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 苏娟;章社杲
主权项 1.在玻璃类型的透明基片(10)上对一具有导电性能的掺有金属氧化物类型的层(11)进行电化学蚀刻的方法,该基片包括在该方法之前在所述的层(11)上的沉积物,一限定了多个层(11)的裸露区域(13)的具有图案的掩模(12),该掩模可以在蚀刻之后除去,该方法在于:-使该层的至少一个待蚀刻区域(13)与导电溶液(20)接触,-将一电极(30)浸入溶液(20)中并且与区域(13)隔一距离(d)且相对地设置该电极(30),-在电极(30)和待蚀刻层(11)间施加一电压(U),其特征在于使用至少一个电极并且该电极具有一长形形状以便在该层的多个区域上沿一宽度l进行蚀刻。
地址 法国库伯瓦