发明名称 | 薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法 | ||
摘要 | 一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法,包括:提供一基板,限定晶体管区、电容区、像素区以及栅极垫区;形成第一金属层,并限定其图形,分别形成栅极电极、电容上电极以及栅极垫;依序沉积绝缘层、半导体层、掺杂硅层以及第二金属层,限定它们的图案,以分别在该晶体管区、以及该电容区形成晶体管岛状结构以及电容,并去除像素区及栅极垫区的第二金属层、掺杂硅层、半导体层以及绝缘层,使像素区的基板与该栅极垫区的该栅极垫暴露出来;以及全面沉积透明导电层,并限定该透明导电层的图案。 | ||
申请公布号 | CN1151406C | 申请公布日期 | 2004.05.26 |
申请号 | CN00131997.3 | 申请日期 | 2000.11.03 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 曾旭平 |
分类号 | G02F1/136 | 主分类号 | G02F1/136 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基板,该基板上限定一晶体管区、一电容区、一像素区以及一栅极垫区;(b)于该基板表面上形成一第一金属层,并限定该第一金属层的图形,分别在该晶体管区、该电容区以及该栅极垫区形成一栅极电极、一电容上电极以及一栅极垫;(c)依序沉积一绝缘层、一半导体层、一掺杂硅层以及一第二金属层,限定该绝缘层、该半导体层、该掺杂硅层以及该第二金属层的图案,以分别在该晶体管区、以及该电容区形成一晶体管岛状结构以及一电容,并去除该像素区及栅极垫区的该第二金属层、该掺杂硅层、该半导体层以及该绝缘层,使该像素区的基板与该栅极垫区的该栅极垫暴露出来;以及(d)全面沉积一透明导电层,并限定该透明导电层的图案,先于该晶体管区内限定一通道区,并去除该通道区内的该透明导电层,接着去除未被该透明导电层覆盖的该第二金属层以及该掺杂硅层,如此在该晶体管区内限定形成一源极电极与一漏极电极,且该源极电极与该漏极电极被该通道区所间隔,并使该通道区内的该第一半导体层暴露出来。 | ||
地址 | 台湾省新竹市科学工业园区 |