发明名称 半导体装置制造方法
摘要 为了提供一种在与基板连接时不发生导通不良并能容易地进行高密度安装且能实现低成本的半导体装置、其安装结构体及其制造方法,本发明的特征在于:将角锥形状的凸起电极接合到配置在半导体芯片上的各焊区电极上而构成。
申请公布号 CN1151547C 申请公布日期 2004.05.26
申请号 CN98807215.7 申请日期 1998.07.15
申请人 株式会社日立制作所 发明人 渡部隆好;志仪英孝;春日部进;森照亨
分类号 H01L21/60;H01L21/3205 主分类号 H01L21/60
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;叶恺东
主权项 1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于:具有形成该半导体装置的角锥形状的凸起电极的工序,和将该角锥形状的凸起电极与该半导体装置的焊区电极连接的工序;该角锥形状的凸起电极形成工序具有:将具有结晶性的基板各向异性刻蚀,以形成角锥形状的孔的工序;和电镀金属填充该角锥形状的孔的工序。
地址 日本东京都