半导体器件和半导体器件的制造方法

摘要

在半导体衬底上形成岛状的元件区的工序；在元件区的外周部分上形成元件隔离区。形成横跨元件区端部设置在元件隔离区上的虚设栅。在元件隔离区上形成比虚设栅更低的第1区域，在除虚设栅之外的元件区上形成比第1区域的上表面还低的源漏区。在源漏区周边形成侧壁，形成源漏杂质扩散层。在源漏区和第1区域的上方形成与虚设栅同一高度的半导体膜。使半导体膜的上表面氧化形成氧化硅膜，以氧化硅膜为掩模，除去设置在元件区上的虚设栅。以半导体膜为刻蚀阻挡层，使设在元件隔离区上的栅布线区后退除去氧化硅膜。代替虚设栅形成栅绝缘膜和栅电极。除去半导体膜使源漏杂质扩散层露出来在源漏杂质扩散层上形成源漏电极。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于：具有具有第1上表面的元件区，和具有比上述第1上表面低的第2上表面且具有把上述元件区围起来的隔离区的半导体衬底；具有设置在上述第2上表面上与上述元件区接连且具有比上述第1上表面还高的第3上表面的第1绝缘体，和设置在上述第2上表面上与上述元件区和上述第1绝缘体接连且具有比上述第3上表面还高的第4上表面的第2绝缘体的元件隔离绝缘体；具有在上述第1上表面上设置且与上述第2绝缘体的侧面接连的第1侧壁，和在上述第1上表面上设置且两端部分别与上述第1侧壁的两端部接连的第2侧壁的源侧壁绝缘体；具有在上述第1上表面上设置且与上述第2绝缘体的侧面接连的第3侧壁，和在上述第1上表面上与上述第2侧壁平行地设置且两端部分别连接到上述第3侧壁的两端部上的第4侧壁的漏侧壁绝缘体；在上述第1上表面上和上述第3上表面上设置且与上述第2绝缘体、上述第2侧壁和上述第4侧壁的侧面接连的栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上设置且侧面与上述栅绝缘膜接连的栅导体；在上述第1上表面上方设置且与上述第1上表面电连、侧面与上述第1侧壁和第2侧壁接连的源导体；和在上述第1上表面上方设置且与上述第1上表面电连且侧面与上述第3侧壁和第4侧壁接连的漏导体。