| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置(1)包含：配备电极部(104)的半导体元件(103)，和布线基板(108)，该布线基板配备绝缘层(101)、设置在绝缘层(101)中的电极部连接用电极(102)、和与设置在绝缘层(101)中的电极部连接用电极(108)电连接的外部电极(107)，电极部(104)与电极部连接用电极(102)电连接，其中：绝缘层(101)的弹性模量大于0.1GPa小于5GPa，金属接合电极部(104)与电极部连接用电极(102)。 | ||
| 申请公布号 | CN1499617A | 申请公布日期 | 2004.05.26 |
| 申请号 | CN200310104773.6 | 申请日期 | 2003.10.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 菅谷康博;朝日俊行;小松慎五;山本义之;中谷诚一 |
| 分类号 | H01L23/12;H01L23/48;H01L23/32;H01L23/28;H01L21/56;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/12 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，包含：配备电极部的半导体元件，和布线基板，该布线基板配备绝缘层、设置在所述绝缘层中的电极部连接用电极、和与设置在所述绝缘层中的所述电极部连接用电极电连接的外部电极，所述电极部与所述电极部连接用电极电连接，其特征在于：所述绝缘层的弹性模量大于0.1Gpa小于5Gpa，所述电极部与所述电极部连接用电极通过金属接合。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||