半导体激光器

摘要

本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n－GaAs衬底1的上边，顺序地将n－AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p－Al_xGa_1－xAs－ESL5、具备条状凸部(6)的p－AlGaInP第2上包层(7)、以及p－GaAs接触层(8)层叠起来。除p－AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P－Al_xGa_1－xAs－ESL5的折时率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。

主权项

1.一种半导体激光器，具有：有源层；位于有源层下侧的下包层；位于有源层上侧的第1上包层；位于第1上包层上侧的蚀刻阻挡层；以及位于蚀刻阻挡层上侧，具备条状凸部的第2上包层，在所述凸部下方形成条状的光波导，其特征是：蚀刻阻挡层为单层，由与所述各包层的材料不同的材料形成，而且具有与所述各包层的折射率大约相等的折射率。