发明名称 | 制造高电容极间电介质的方法 | ||
摘要 | 一种用于制造一二氧化硅/四氮化三硅/二氧化硅(ONO)叠式复合层(40)的方法。此复合层具有一薄的四氮化三硅层(16)用于提供一高电容极间电介质结构(70)。在形成复合层时,先在一基底上例如一多晶硅(52)上形成一底二氧化硅层(14)。然后,在该底二氧化硅层上形成一四氮化三硅层(16),并用氧化法使该层(16)变薄。四氮化三硅薄膜(16)的氧化通过反应消耗了一些四氮化三硅,此反应产生另一二氧化硅层(18),此层(18)用氢氟酸稀释加以去除。接着再次对四氮化三硅层(16)进行氧化而再次使之变薄,并在该层(16)上形成一顶二氧化硅层(20)而形成ONO叠式复合层(40)。然后,在该ONO叠式复合层上淀积一第二多晶硅层(54),从而形成极间电介质(70)。 | ||
申请公布号 | CN1500289A | 申请公布日期 | 2004.05.26 |
申请号 | CN02807234.0 | 申请日期 | 2002.01.10 |
申请人 | 爱特梅尔股份有限公司 | 发明人 | M·A·古德;A·S·凯尔科 |
分类号 | H01L21/28;H01L21/314 | 主分类号 | H01L21/28 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 李家麟 |
主权项 | 1.一种形成一ONO电介质的方法,该方法包括:在第一二氧化硅层上形成一四氮化三硅层;氧化该四氮化三硅层,在所述四氮化三硅层上产生一临时性二氧化硅层;除去该临时性二氧化硅层,再氧化该四氮化三硅层,在所述四氮化三硅层上形成一顶二氧化硅层。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |