半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，在半导体衬底上包括：由多个绝缘膜形成的绝缘结构；埋在绝缘结构中，并由多个导电层形成的互连结构；以及由与形成互连结构的导电层相同的导电层形成，并埋在各绝缘膜的表面侧中的多个虚拟图案，并且互连结构附近的虚拟图案通过通路部分彼此相连接。这样，加固了互连结构附近的绝缘结构，并可以防止由机械应力或热应力引起的在绝缘膜之间的界面或层间绝缘膜中的裂缝和剥落的产生。

主权项

1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底上面形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上面形成的第二绝缘膜；埋在所述第一绝缘膜中和所述第二绝缘膜中的互连结构；由第一导电层形成的第一虚拟图案，埋在至少所述第一绝缘膜的表面侧中，接近所述互连结构；和由第二导电层形成的第二虚拟图案，埋在所述第二绝缘膜中，接近所述互连结构，并通过通路部分与所述第一虚拟图案相连接。