发明名称 |
生产晶体管的方法 |
摘要 |
本发明涉及应用一个p-掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件,尤其是晶体管或逻辑门的方法。在半导体基片上首先涂覆一掩模,以确定一个由边沿限定界限的窗口。然后通过用能量进行离浮子注入在半导体基片中产生一个n-掺杂的槽,此能量对于在半导体基片的表面上保留一个p-掺杂的内部区域是足够的,并且n-掺杂槽的边缘区域抵达半导体基片的表面。然后形成晶体管或逻辑门的n-掺杂和/或p-掺杂区被带入半导体基片的p-掺杂内部区域。此方法的优点在于不再需要昂贵的外延和隔离过程。在n-掺杂的基片情况下所有的注入被相反形式的代替,即n代替p,并且反之p代替n。 |
申请公布号 |
CN1151544C |
申请公布日期 |
2004.05.26 |
申请号 |
CN99812687.X |
申请日期 |
1999.08.13 |
申请人 |
乌尔苏拉·格吕茨迪克;尤塔·谢雷尔 |
发明人 |
哈姆特·格吕茨迪克;杰奇姆·谢雷尔 |
分类号 |
H01L21/266;H01L21/74;H01L21/8226;H01L21/761;H01L31/11 |
主分类号 |
H01L21/266 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
李德山 |
主权项 |
1.由一个p-掺杂或n掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件的方法,包括步骤:—在半导体基片上涂复一掩模,以规定一个由绕行的边沿限定界限的窗口,—用离子注入法通过掩模用一个能量在p-掺杂的半导体基片中产生一个n-掺杂的槽或在n-掺杂的半导体基片中产生一个p-掺杂的槽,上述能量足够高,使得在半导体基片的表面上保留一个p-掺杂或n-掺杂的内部区域,并且n-掺杂或p-掺杂的槽的边缘区域抵达半导体基片的表面,并且—在p-掺杂或n-掺杂的内部区域中以及在n-掺杂或p-掺杂的槽的边缘区域中产生其它构成半导体元件结构的n-掺杂和/或p-掺杂的区域。 |
地址 |
德国美因茨 |