| 主权项 |
1.一种配线基板,其特征为:使用介电常数(dielectricconstant)为3至5,且tan为0.01至0.08之埋入树脂以埋入电子零件,该埋入树脂之树脂成分系至少含有热硬化性树脂,且至少含有一种之无机填充料,其中该热硬化性树脂为双酚型环氧树脂,型环氧树脂,酚醛清漆(phenol novolac)型环氧树脂,及甲醛酚醛清漆型环氧树脂所选择之至少一种。2.如申请专利范围第1项之配线基板,其中该埋入树脂含有碳黑0.1至1.4质量%。3.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中该埋入树脂为以黑色,蓝色,绿色,红色,橙色,黄色及紫色之任一为基本之颜色所着色。4.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中在核心基板之至少一面,形成绝缘层及配线层交互地叠层之叠层层,使用如贯通该核心基板及该叠层层之至少一方所形成之开口部之基板,并且,将配置于该开口部内之电子零件,使用上述埋入树脂加以埋入。5.如申请专利范围第3项之配线基板,其中在核心基板之至少一面,形成绝缘层及配线层交互地叠层之叠层层,使用如贯通该核心基板及该叠层层之至少一方所形成之开口部之基板,并且,将配置于该开口部内之电子零件,使用上述埋入树脂加以埋入。图式简单说明:第1图系表示将本发明之配线基板适用于BGA基板之例之说明图。第2图系表示本发明之配线基板之制造方法一态样之说明图。第3图系表示本发明之配线基板之制造方法一态样之说明图。第4图系表示本发明之配线基板之制造方法一态样之说明图。第5图系表示本发明之配线基板之制造方法一态样之说明图。第6图系表示本发明之配线基板之制造方法一态样之说明图。第7图系表示本发明之配线基板之制造方法一态样之说明图。第8图系表示本发明之配线基板之制造方法一态样之说明图。第9图系表示本发明之配线基板之制造方法一态样之说明图。第10图系表示将本发明之配线基板适用于BGA基板之例之说明图。第11图系使用本发明之一态样之FC-PGA型之多层印刷配线基板之半导体装置之说明图。第12图系厚度400m之衬铜核心基板之概略图。第13图系表示厚度400m之衬铜核心基板之形成图案后状态之说明图。第14图系表示在核心基板两面形成绝缘层之基板形成通孔与贯通孔状态之说明图。第15图系表示在核心基板两面形成绝缘层之基板施加面板电镀后状态之说明图。第16图系将贯通孔填孔填充基板之说明图。第17图系表示冲孔形成贯通孔之基板之说明图。第18图系表示在冲孔形成贯通孔之基板一面张贴罩幕带状态之说明图。第19图系表示在露出于贯通孔内之罩幕带上配置叠层晶片电容器状态之说明图。第20图系表示在贯通孔内填充埋入树脂状态之说明图。第21图系表示研磨基板面加以平坦化状态之说明图。第22图系表示在基板之研磨面施加面板电镀状态之说明图。第23图系表示将配线形成图案状态之说明图。第24图系表示在基板上形成叠层层及软焊料阻止剂状态之说明图。第25图系属于本发明之一态样之FC-PGA型之多层印刷配线基板之说明图。 |
