发明名称 液晶显示面板
摘要 液晶显示面板系具备光透过性的阵列基板AR以及对向基板CT与挟持于基板AR、CT间,液晶分子排列由基板AR、CT控制的液晶层LQ。特别是阵列基板AR包含对液晶层LQ施加电场的透明像素电极1以及遮光性配线部SL,构成反射与遮光性配线部SL重叠且使遮光性配线部SL的间隙GP的一部分残留而配置,由对向基板CT侧隔着液晶层LQ入射的光的反射板。
申请公布号 TW588190 申请公布日期 2004.05.21
申请号 TW091103474 申请日期 2002.02.26
申请人 东芝股份有限公司 发明人 山田义孝;花泽康行
分类号 G02F1/1335 主分类号 G02F1/1335
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种液晶显示面板,系具备光透过性的第一以及第二电极基板,与挟持于该第一以及第二电极基板间,液晶分子排列由该第一以及第二电极基板控制的液晶层,其特征为:该第一电极基板包含:配置于画素领域,施加电场于该液晶层的画素电极;当作该画素电极的开关元件而形成的薄膜电晶体;具有连接于该薄膜电晶体以及该画素电极间的记忆体配线层之遮光性配线部;以及反射由该第二电极基板侧隔着该液晶层入射的光之反射板,该反射板于该画素领域之中,与该遮光性配线部重叠且使该遮光性配线部的间隙的一部分残留而配置。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中该画素电极相较于前述遮光性配线,系配置于液晶层侧之透明电极。3.如申请专利范围第2项所述之液晶显示面板,其中该反射板包含该记忆体配线层、形成于该记忆体配线层上的反射材层以及形成于该透明电极上的反射材层的至少一个。4.如申请专利范围第3项所述之液晶显示面板,其中形成于该透明电极上的该反射材层的总面积被设定为该记忆体配线层的总面积的60%以上。5.如申请专利范围第3项所述之液晶显示面板,其中该遮光性配线部更具有该薄膜电晶体用的控制配线层,该记忆体配线层的至少一部分系由与该控制配线层同一的金属材料所构成。6.如申请专利范围第5项所述之液晶显示面板,其中该反射材层系高反射金属、高熔点金属以及高反射金属与高熔点金属的组合之任一个。7.如申请专利范围第6项所述之液晶显示面板,其中该高反射金属系以铝以及银的任一个为主成分。8.如申请专利范围第6项所述之液晶显示面板,其中该高熔点金属系以钼、钨以及钼与钨的合金的任一个为主成分。9.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中该反射板具有以40%以上的比例反射入射光的反射特性。10.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中该反射板具有以80%以上的比例反射入射光的反射特性。11.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中该第二电极基板包含扩散光的光扩散层。12.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中该反射板具有散乱光之起伏。13.如申请专利范围第1项所述之液晶显示面板,其中该第一以及第二电极基板的至少一方更包含有彩色滤光片。14.如申请专利范围第2项所述之液晶显示面板,其中该第一电极基板更包含覆盖该遮光性配线部,成为该透明电极的底层之滤光片。图式简单说明:图1系与本发明的第一实施例有关的液晶显示面板的部分剖面图。图2系与本发明的第二实施例有关的液晶显示面板的部分剖面图。图3系与本发明的第三实施例有关的液晶显示面板的部分剖面图。图4系与本发明的第四实施例有关的液晶显示面板的部分剖面图。图5系与本发明的第五实施例有关的液晶显示面板的部分剖面图。图6系与本发明的第六实施例有关的液晶显示面板的部分剖面图。图7系显示图1所示的像素电极1的变形例的剖面图。图8系并用透过光以及反射光的习知的液晶显示面板的部分剖面图。
地址 日本