| 主权项 |
1.一种电子基材,其包括:以至少一种树脂浸渍之非织造加强材料,其中该加强材料包括10-90重量%之玻璃微纤维与10至90重量%之有机纤维之具有至少一个雷射钻孔之非织造组合,其中该孔具有小于30微米之直径;及其中该电子基材系一介电层,其具有自孔周围量测为小于1微米之热破坏。2.如申请专利范围第1项之电子基材,其中非织造玻璃纤维为具有直径小于5微米之玻璃微纤维。3.如申请专利范围第2项之电子基材,其中非织造玻璃微纤维之直径为小于1微米。4.如申请专利范围第1项之电子基材,其包含30至55重量%之加强材料,其中加强材料包含30至75重量%之有机纤维。5.如申请专利范围第1项之电子基材,其中非织造有机纤维系自液晶聚合物纤维,液晶芳族聚醯胺纤维,液晶聚酯纤维及其混合物所组成的族群中所选出。6.如申请专利范围第1项之电子基材,其中非织造有机纤维系伸苯基-2,6-苯并双唑纤维。7.如申请专利范围第1项之电子基材,其中有机纤维包括30至100重量%短纤维及0至70重量%浆粕纤维。8.如申请专利范围第1项之电子基材,其中有机纤维系有机浆粕与选自有机微纤维、有机短纤维、有机浆粕及其混合物之有机纤维之组合。9.如申请专利范围第1项之电子基材,其中树脂系选自热固性聚合物,环氧化物,高温热塑性聚合物,热塑性树脂系统及其混合物。10.如申请专利范围第1项之电子基材,其中树脂包含环脂族聚合物。11.如申请专利范围第1项之电子基材,其中非织造加强材料包括一或多种偶合剂。12.如申请专利范围第1项之电子基材,其中非织造加强材料包括一或多种黏结剂。13.一种电子基材,其包含30至85重量%树脂及15至70重量%非织造加强材料,其中加强材料包含30至75重量%p-伸苯基-2,6-苯并双唑纤维及25至70重量%具直径小于5微米之玻璃微纤维,其中基材之厚度为0.2至20密尔。14.如申请专利范围第13项之电子基材,其中p-伸苯基-2,6-苯并双唑纤维包含系30至100重量%短纤维及0至70重量%浆粕纤维。15.如申请专利范围第13项之电子基材,其中树脂系经部份硬化。16.一种制造介电层之方法,包含下列步骤:(a)以包括一或多种树脂之溶液浸渍包含30至75重量%有机纤维及25至70重量%玻璃微纤维之非织造加强材料,以得经树脂浸渍之布;及(b)将经树脂浸渍之布部份硬化以形成预浸渍物,其中预浸渍物包括30至85重量%树脂及15至70重量%加强材料。17.如申请专利范围第16项之方法,其中基本上全部玻璃微纤维之直径为小于1微米。18.如申请专利范围第16项之方法,其中有机纤维系自液晶聚合物纤维,液晶芳族聚醯胺纤维,液晶聚酯纤维及其混合物所组成之族群中所选出。19.如申请专利范围第16项之方法,其中有机纤维为p-伸苯基-2,6-苯并双唑纤维。20.如申请专利范围第16项之方法,其中p-伸苯基-2,6-苯并双唑纤维包含30至100重量%短纤维及0至70重量%浆粕纤维之组合。21.如申请专利范围第16项之方法,包括在预浸渍物第一表面施加第一分离层及在预浸渍物第二表面施加第二分离层之进一步步骤。22.如申请专利范围第16项之方法,其中硬化步骤(b)使预浸渍物之厚度与经浸渍之薄片相比减少至少50%。23.如申请专利范围第22项之方法,其中分离层系金属箔,其系藉选自蚀刻或剥离之方法除去。24.如申请专利范围第21项之方法,其中一或多个通路系使用雷射以于经预浸渍物覆盖之介电层中形成。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该通路之直径系自6至0.5密尔。26.一种电子基材,其包括由申请专利范围第21项之方法制得的介电层,其中电子基材系选自单面电路板,双面电路板,多层印刷导线板及印刷电路板(PCB)。 |
