发明名称 控片之使用量的计算方法
摘要 一种控片之使用量的计算方法,系应用在半导体工业的晶圆厂中,本发明的控片之使用量的计算方法,系根据晶圆厂内各机台间的控片降级流程而对各机台使用的控片之数量进行计算及优化,从而准确求出满足晶圆厂各生产线有关控片的最佳储备数量,优化晶圆厂中控片的管理。伍、(一)、本案代表图为:第___4____图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:100 机台 102 第一型控片104 第二型控片 106 第三型控片110 微影制程类 112 植入制程类114 溅镀制程类 116 扩散制程类118 蚀刻制程类 120 沉积制程类122 研磨制程类 124 植入制程类I126 植入制程类II 128 溅镀制程类I130 溅镀制程类II 132 扩散制程类I134 扩散制程类II 142 再研磨设备144 再清洗设备 146 氧化物去除设备148 研磨设备 152 机台154 机台 156 机台158 第四型控片 160 第五型控片
申请公布号 TW588273 申请公布日期 2004.05.21
申请号 TW092102061 申请日期 2003.01.29
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 蔡怡君;饶荣胜;林泰焜
分类号 G06F19/00 主分类号 G06F19/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种控片之使用量的计算方法,系应用在一晶圆厂中,其中该晶圆厂具有属于一第0等级的复数个再处理设备,以及分别属于一第1等级、一第2等级,依序类推至一第n-1等级和一第n等级的复数台机台,其中,根据该些机台之间的一控片降级流程,该第0等级的该些再处理设备之控片来源系来自该些第1等级机台,该些第1等级机台之控片来源系来自该些第2等级机台,依序类推至该些第n-1等级机台之控片来源系来自该些第n等级机台,该控片之使用量的计算方法至少包括:执行一计算步骤,至少包括:计算每一该些机台的一实际控片使用数量将每一该些第n等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第n等级机台的一第n等级控片使用数量;将每一该些第n-1等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第n-1等级机台的一第n-1等级控片使用数量;将每一该些第2等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第2等级机台的一第2等级控片使用数量;以及将每一该些第1等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第1等级机台的一第1等级控片使用数量;以及取该第n等级控片使用数量、该第n-1等级控片使用数量、该第2等级控片使用数量和该第1等级控片使用数量四者中之最大値作为该晶圆厂之一控片使用量。2.如申请专利范围第1项所述之控片之使用量的计算方法,其中该些再处理设备系选自于复数台再清洗设备和复数台再研磨设备所组成之一族群。3.如申请专利范围第1项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之计算每一该些机台的该实际控片使用数量系根据每一该些机台的一控片相关应用资料利用一第一计算公式和一第二计算公式计算而获得。4.如申请专利范围第3项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之控片相关应用资料至少包括:一反应室数量、一监控项目、一控片类型及品质、一总产出量、一以时间为基准之应用量、一以产出量为基准之应用量、一失败率以及一重复使用率,其中该以时间为基准之应用量更包括一天数及一第一单位使用量,该以产出量为基准之应用量更包括一产出量及一第二单位使用量。5.如申请专利范围第4项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之第一计算公式为:每一该些机台之一控片使用数量={(一工作天数/该天数该第一单位使用量该反应室数量)+(该总产出量/该产出量该第二单位使用量该反应室数量)(1+该失败率),其中该工作天数为该晶圆厂运作之工作天数。6.如申请专利范围第5项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之第二计算公式为:每一该些机台之该实际控片使用数量等于每一该些机台之该控片使用数量除以该重复使用率。7.一种控片之使用量的计算方法,系应用在一晶圆厂中,其中该晶圆厂具有复数个再处理设备及复数台机台,该控片之使用量的计算方法至少包括:执行一等级区分步骤,至少包括:定义该些再处理设备属于一第0等级;定义该些机台分别为属于一第1等级、一第2等级,依序类推至一第n-1等级和一第n等级的复数台第1等级机台、复数台第2等级机台,依序类推至复数台第n-1等级机台和复数台第n等级机台,其中,根据该些机台之间的一控片降级流程,该第0等级的该些再处理设备之控片来源系来自该些第1等级机台,该些第1等级机台之控片来源系来自该些第2等级机台,依序类推至该些第n-1等级机台之控片来源系来自该些第n等级机台;执行一计算步骤,至少包括:计算每一该些机台的一实际控片使用数量将每一该些第n等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第n等级机台的一第n等级控片使用数量;将每一该些第n-1等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第n-1等级机台的一第n-1等级控片使用数量;将每一该些第2等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第2等级机台的一第2等级控片使用数量;以及将每一该些第1等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第1等级机台的一第1等级控片使用数量;以及取该第n等级控片使用数量、该第n-1等级控片使用数量、该第2等级控片使用数量和该第1等级控片使用数量四者中之最大値作为该晶圆厂之一控片使用量。8.如申请专利范围第7项所述之控片之使用量的计算方法,其中该些再处理设备系选自于复数台再清洗设备和复数台再研磨设备所组成之一族群。9.如申请专利范围第7项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之计算每一该些机台的该实际控片使用数量系根据每一该些机台的一控片相关应用资料利用一第一计算公式和一第二计算公式计算而获得。10.如申请专利范围第9项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之控片相关应用资料至少包括:一反应室数量、一监控项目、一控片类型及品质、一总产出量、一以时间为基准之应用量、一以产出量为基准之应用量、一失败率以及一重复使用率,其中该以时间为基准之应用量更包括一天数及一第一单位使用量,该以产出量为基准之应用量更包括一产出量及一第二单位使用量。11.如申请专利范围第10项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之第一计算公式为:每一该些机台之一控片使用数量={(一工作天数/该天数该第一单位使用量该反应室数量)+(该总产出量/该产出量该第二单位使用量该反应室数量)(1+该失败率),其中该工作天数为该晶圆厂运作之工作天数。12.如申请专利范围第11项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之第二计算公式为:每一该些机台之该实际控片使用数量等于每一该些机台之该控片使用数量除以该重复使用率。13.一种控片之使用量的计算方法,系应用在一晶圆厂中,其中该晶圆厂具有复数个再处理设备及复数台机台,该控片之使用量的计算方法至少包括:执行一制程分类步骤,定义该些机台属于复数种制程类;对每一该些制程类之该些机台执行一等级区分步骤,至少包括:定义该些再处理设备属于一第0等级;定义该些机台分别为属于一第1等级、一第2等级,依序类推至一第n-1等级和一第n等级的复数台第1等级机台、复数台第2等级机台,依序类推至复数台第n-1等级机台和复数台第n等级机台,其中,根据该些机台之间的一控片降级流程,该第0等级的该些再处理设备之控片来源系来自该些第1等级机台,该些第1等级机台之控片来源系来自该些第2等级机台,依序类推至该些第n-1等级机台之控片来源系来自该些第n等级机台;对每一该些制程类执行一计算步骤,藉以获得每一该些制程类之一实际控片总使用数量,该计算步骤至少包括:计算每一该些制程类之每一该些机台的一实际控片使用数量;将每一该些第n等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第n等级机台的一第n等级控片使用数量;将每一该些第n-1等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第n-1等级机台的一第n-1等级控片使用数量;将每一该些第2等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第2等级机台的一第2等级控片使用数量;将每一该些第1等级机台的该实际控片使用数量相加,以获得该些第1等级机台的一第1等级控片使用数量;以及取该第n等级控片使用数量、该第n-1等级控片使用数量、该第2等级控片使用数量和该第1等级控片使用数量四者中之最大値作为该实际控片总使用数量;以及将每一该些制程类之该实际控片总使用数量相加藉以获得该晶圆厂之一控片使用量。14.如申请专利范围第13项所述之控片之使用量的计算方法,其中该些再处理设备系选自于复数台再清洗设备和复数台再研磨设备所组成之一族群。15.如申请专利范围第13项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之制程分类步骤系根据每一该些机台所执行之制程来定义该些机台属于该些制程类。16.如申请专利范围第15项所述之控片之使用量的计算方法,其中该些制程类至少包括:一微影制程类、一植入制程类、一溅镀制程类、一扩散制程类、一蚀刻制程类、一沉积制程类和一研磨制程类。17.如申请专利范围第13项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之计算每一该些机台的该实际控片使用数量系根据每、该些机台的一控片相关应用资料利用一第一计算公式和一第二计算公式计算而获得。18.如申请专利范围第17项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之控片相关应用资料至少包括:一反应室数量、一监控项目、一控片类型及品质、一总产出量、一以时间为基准之应用量、一以产出量为基准之应用量、一失败率以及一重复使用率,其中该以时间为基准之应用量更包括一天数及一第一单位使用量,该以产出量为基准之应用量更包括一产出量及一第二单位使用量。19.如申请专利范围第18项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之第一计算公式为:每一该些机台之一控片使用数量={(一工作天数/该天数该第一单位使用量该反应室数量)+(该总产出量/该产出量该第二单位使用量该反应室数量)(1+该失败率),其中该工作天数为该晶圆厂运作之工作天数。20.如申请专利范围第18项所述之控片之使用量的计算方法,其中上述之第二计算公式为:每一该些机台之该实际控片使用数量等于每一该些机台之该控片使用数量除以该重复使用率。图式简单说明:第1图系绘示控用的降级流程之示意图;第2图系绘示结合前置作业、消耗使用和回收作业的控片降级流程之示意图;第3图系绘示另一控片降级流程之示意图;第4图系绘示应用本发明之一实施例时,晶圆厂内各机台间控片的来源与流向之示意图;第5图系绘示应用本发明之一实施例时属于同一制程类中各机台的等级区分之示意图;以及第6a图至第6e图系绘示机台间控片的来源与流向之示意图。
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