| 主权项 |
1.一种双位元氮化物唯读记忆体(nitride read onlymemory, NROM),该氮化物唯读记忆体包含有:一基底;一第一ONO介电层以及一第二ONO介电层分别设于该基底表面,且该第一ONO介电层与该第二ONO介电层之间包含有一预定区域;一第一控制闸极以及一第二控制闸极分别覆盖于该第一ONO介电层表面以及该第二ONO介电层表面;一选择闸极设于该预定区域内之该基底表面;以及二导电区域分别设于该第一ONO介电层外侧之该基底中以及该第二ONO介电层外侧之该基底中,用来作为该氮化物唯读记忆体之源极与汲极。2.如申请专利范围第1项之氮化物唯读记忆体,另包含有一介电层覆盖于该第一控制闸极以及该第二控制闸极表面。3.如申请专利范围第2项之氮化物唯读记忆体,其中该选择闸极系覆盖于该介电层表面。4.如申请专利范围第1项之氮化物唯读记忆体,其中该第一ONO介电层系用来储存一第一位元资料,该第二ONO介电层系用来储存一第二位元资料。5.如申请专利范围第4项之氮化物唯读记忆体,其中于写入/读取该第一位元资料时,该第二控制闸极以及该选择闸极系作为一传输闸极(pass gate)。6.如申请专利范围第4项之氮化物唯读记忆体,其中于写入/读取该第二位元资料时,该第一控制闸极以及该选择闸极系作为一传输闸极。7.一种具有选择闸极(select gate)之氮化物唯读记忆体(nitride read only memory, NROM),该氮化物唯读记忆体包含有:一基底;复数个ONO介电层设于该基底表面;复数个控制闸极设于该等ONO介电层表面;二导电区域设于该等ONO介电层外侧之该基底中;以及至少一选择闸极设于该等ONO介电层之间之该基底表面。8.如申请专利范围第7项之氮化物唯读记忆体,另包含有一介电层覆盖于该等控制闸极表面。9.如申请专利范围第8项之氮化物唯读记忆体,其中该选择闸极系覆盖于该介电层表面。10.如申请专利范围第7项之氮化物唯读记忆体,其中该等ONO介电层包含一第一ONO介电层用来储存一第一位元资料,以及一第二ONO介电层用来储存一第二位元资料。11.如申请专利范围第10项之氮化物唯读记忆体,其中该等控制闸极包含一第一控制闸极覆盖于该第一ONO介电层表面,以及一第二控制闸极覆盖于该第二ONO介电层表面。12.如申请专利范围第11项之氮化物唯读记忆体,其中于写入/读取该第一位元资料时,该第二控制闸极以及该选择闸极系作为一传输闸极。13.如申请专利范围第11项之氮化物唯读记忆体,其中于写入/读取该第二位元资料时,该第一控制闸极以及该选择闸极系作为一传输闸极。图式简单说明:图一为习知一氮化物唯读记忆体之剖面示意图。图二为本发明一氮化物唯读记忆体之剖面示意图。 |
