| 主权项 |
1.一种用于液晶显示器之薄膜电晶体基材,其包含: 一黑色基质,其安排在透明绝缘基材的毗连单元图 素间,用来防止在毗连单元图素间光漏; 一第一氧化物薄膜,其在所产生的包含黑色基质之 基材上形成; 一经重掺杂的多晶矽层图案,其在该第一氧化物薄 膜上形成; 一第二氧化物薄膜,其在该经重掺杂的多晶矽层图 案之曝露表面上形成,且具有一曝露该经重掺杂的 多晶矽层图案之预定部分的第一接触孔; 一活性多晶矽层图案,其在该第一氧化物薄膜与该 第二氧化物薄膜之活性区域上形成; 一第三氧化物薄膜,其在该活性多晶矽层图案的曝 露表面上形成; 一复晶闸极图案,其在包含该第一接触孔的第二氧 化物薄膜上及在该第三氧化物薄膜的选择区域上 形成,以便与该经重掺杂的多晶矽层图案相符合, 且与下层的重掺杂多晶矽层图案电连接; 一第四氧化物薄膜,其在所产生的包含该复晶闸极 图案与具有第二接触孔(其在该第四氧化物薄膜与 下层的第三氧化物薄膜中形成)之基材上形成,以 便曝露出该活性多晶矽层图案的源极区; 一资料线,其在包含该第二接触孔的第四氧化物薄 膜之选择部分上形成; 一平面化薄膜,其在包含该资料线的第四氧化物薄 膜上形成;及 一图素电极,其在该平面化薄膜上形成。2.如申请 专利范围第1项之薄膜电晶体基材,其中该复晶闸 极图案包含一该薄膜电晶体的闸极图案,及一储存 电容器的上储存电极图案。3.如申请专利范围第2 项之薄膜电晶体基材,其中该上储存电极图案经由 第一接触孔与该下层的掺杂多晶矽层图案电连接 。4.如申请专利范围第2项之薄膜电晶体基材,其中 该闸极图案与配置在该通道区域下之掺杂多晶矽 层图案电连接。5.一种用于液晶显示器之薄膜电 晶体基材的制造方法,该方法之步骤包括: 在透明绝缘基材的毗连单元图素间形成一黑色基 质,用来防止在毗连单元图素间光漏; 在该黑色基质上形成一第一氧化物薄膜; 在该第一氧化物薄膜上形成一经重掺杂的多晶矽 层图案; 在该重掺杂多晶矽层图案的曝露表面上形成一第 二氧化物薄膜,该第二氧化物薄膜具有一会曝露出 多晶矽层图案的预定部分之第一接触孔; 在该第一氧化物薄膜与该第二氧化物薄膜的活性 区域上形成一活性多晶矽层图案; 在该活性多晶矽层图案的曝露表面上形成一第三 氧化物薄膜; 在该第三氧化物薄膜的预定部分上形成一复晶闸 极图案; 在所产生的包含该复晶闸极图案之基材上形成一 第四氧化物薄膜; 在该第四氧化物薄膜与下层的第三氧化物薄膜之 预定部分处形成一会曝露出该活性多晶矽层图案 的预定部分之第二接触孔; 在包含第二接触孔的第四氧化物薄膜之选择部分 上形成一资料线; 在包含该资料线的第四氧化物薄膜上形成一平面 化薄膜;及 在该平面化薄膜上形成一图素电极。6.如申请专 利范围第5项之方法,其中该经掺杂的多晶矽层图 案及该复晶闸极图案可使用相同的罩幕形成。7. 如申请专利范围第5项之方法,其中该活性多晶矽 层图案包含源极区、漏极区及通道区域,该源极区 及该漏极区可以该复晶闸极图案的闸极电极作为 离子植入法的罩幕,藉由植入五价或二价的杂质离 子而形成。图式简单说明: 第1图为根据本发明之具体实施例用于液晶显示器 之薄膜电晶体基材的截面图;及 第2图为沿着与该资料线垂直的方向所采截之数个 单元图素区域的截面图。 |
