发明名称 高分子结构体及具备其之机能元件,电晶体及使用其之显示装置
摘要 机能元件系具备一对的电极1及4,与具有电洞传导层5及电子传导层2之高分子结构体。高分子结构体具有第一超分支高分子与第二超分支高分子,第一超分支高分子及第二超分支高分子中至少任一者具有电洞传导性或电子传导性,电洞传导层及电子传导层中任一者含有第一超分支高分子及第二超分支高分子中任一者,在电洞传导层、电子传导层及电洞传导层与电子传导层间之至少一个,具有藉经由第一超分支高分子或第二超分支高分子之非共价键的相互作用之自组织化结构。
申请公布号 TW588473 申请公布日期 2004.05.21
申请号 TW091120299 申请日期 2002.09.05
申请人 夏普股份有限公司 发明人 山原基裕;水崎 真伸
分类号 H01L51/00;C08F291/00;C08F297/00;H01L31/04;H01L33/00 主分类号 H01L51/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种高分子结构体,其特征为:具备电洞传导层及 电子传导层,且 具有第一超分支高分子,与第二超分支高分子,上 述第一超分支高分子及上述第二超分支高分子中 至少任一者系具有电洞传导性或电子传导性,上述 电洞传导层及上述电子传导层中任一者系含有上 述第一超分支高分子及上述第二超分支高分子中 任一者,而 在上述电洞传导层、上述电子传导层及上述电洞 传导层与上述电子传导层间之至少一者,具有藉经 由上述第一超分支高分子或上述第二超分支高分 子之非共价键的相互作用之自组织化结构。2.如 申请专利范围第1项之高分子结构体,其中上述第 一超分支高分子系具有电洞传导性,上述第二超分 支高分子系具有电子传导性。3.如申请专利范围 第2项之高分子结构体,其中上述电洞传导层系含 有由复数个第一超分支高分子形成之自组织化结 构,上述电子传导层系含有由复数个第二超分支高 分子形成之自组织化结构。4.如申请专利范围第3 项之高分子结构体,其中上述电洞传导层与上述电 子传导层系互相积层,且含有藉上述第一超分支高 分子与上述第二超分支高分子间之非共价键的相 互作用所形成之自组织化结构。5.如申请专利范 围第3或4项之高分子结构体,其中上述电洞传导层 及上述电子传导层中至少一者系具有各向同性的 特性。6.如申请专利范围第1至4项中任一项之高分 子结构体,其中上述第一超分支高分子及上述第二 超分支高分子中至少一者为树枝状聚合物。7.如 申请专利范围第1至4项中任一项之高分子结构体, 其中上述第一超分支高分子及上述第二超分支高 分子中至少一者系具有两种以上之互异机能。8. 如申请专利范围第1项之高分子结构体,其中在上 述第一超分支高分子与上述第二超分支高分子间, 更具有第三超分支高分子,且藉上述第三超分支高 分子、与上述第一超分支高分子或上述第二超分 支高分子间之非共价键的相互作用而形成有自组 织化结构。9.如申请专利范围第8项之高分子结构 体,其中上述第一超分支高分子系具有电洞传导性 ,上述第二超分支高分子系具有电子传导性,上述 第三超分支高分子系具有电洞传导性、电子传导 性及离子传导性中任一者。10.如申请专利范围第9 项之高分子结构体,其中上述电洞传导层系含有由 复数个第一超分支高分子形成之自组织化结构,上 述电子传导层系含有由复数个第二超分支高分子 形成之自组织化结构,且在上述电洞传导层与上述 电子传导层间具有含有由复数个第三超分支高分 子所形成自组织化结构之更加上的机能层。11.如 申请专利范围第10项之高分子结构体,其中上述电 洞传导层、上述电子传导层及上述更加上的机能 层,系互相积层,且含有藉上述第一超分支高分子 与上述第三超分支高分子间之非共价键的相互作 用所形成之自组织化结构及由上述第二超分支高 分子与上述第三超分支高分子间之非共价键的相 互作用所形成之自组织化结构中至少一者。12.如 申请专利范围第10或11项之高分子结构体,其中上 述电洞传导层、上述电子传导层及上述更加上的 机能层中至少一者系具有各向同性的特性。13.如 申请专利范围第8至11项中任一项之高分子结构体, 其中上述第一超分支高分子、上述第二超分支高 分子及上述第三超分支高分子中至少一者为树枝 状聚合物。14.如申请专利范围第8至11项中任一项 之高分子结构体,其中上述第一超分支高分子、上 述第二超分支高分子及上述第三超分支高分子中 至少一者,系具有两种以上之互异机能。15.一种可 应用于发光元件、显示器、太阳电池、光电变换 元件、光调制元件、有机场效应型电晶体元件、 电容器、整流元件或各种感测元件之机能元件,其 特征为具有申请专利范围第1至14项中任一项记载 之高分子结构体,与电连接于上述高分子结构体之 电极。16.一种电晶体,其特征为具备第一电极、第 二电极、设在上述第一电极与上述第二电极间之 半导体层、以及用以对上述半导体层施加电场之 第三电极,而上述半导体层系含有超分支高分子, 且具有藉经由上述超分支高分子之非共价键的相 互作用的自组织化结构。17.如申请专利范围第16 项之电晶体,其中之半导体层系具有各向同性的导 电性。18.如申请专利范围第16或17项之电晶体,其 中之超分支高分子系具有球状之立体结构。19.如 申请专利范围第16或17项之电晶体,其中之超分支 高分子系具有圆盘状之立体结构。20.如申请专利 范围第16或17项之电晶体,其中之超分支高分子为 树枝状聚合物。21.如申请专利范围第16或17项之电 晶体,其系利用相对于由上述第三电极所施加电场 的上述半导体层场效应之场效应型电晶体。22.一 种显示装置,其特征为具备有复数个像素,与各自 对应于上述复数个像素而设之复数个主动元件,上 述复数个主动元件各个为如申请专利范围第21项 记载之电晶体。图式简单说明: 图1系以模式显示超分支高分子结构与分类之概念 图。 图2系显示供使用于本发明之超分支高分子之结构 模式图。 图3系显示树枝状基体之世代数概念模式图。 图4(a)及图4(b)系显示由依本发明之超分支高分子 所形成自组织化结构之例子模式图。 图5(a)~(e)系显示本发明实施形态的机能元件之例 子概略剖面图。 图6系依本发明实施形态之场效应型电晶体30之模 式剖面图。 图7系依本发明实施形态之液晶显示装置100之模式 剖面图。 图8系依本发明实施形态之有机EL显示装置200之模 式剖面图。
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