| 主权项 |
1.一种于化学机械研磨制程之终点量测方法,包含: 以第1宽频带光束,照射晶圆表面的第1部分; 接收第1反射光谱数据,对应于自晶圆表面的第1照 射部分反射的第1复数之光谱的光; 以第2宽频带光束,照射晶圆表面的第2部分; 接收第2反射光谱数据,对应于自晶圆表面的第2照 射部分反射的第2复数之光谱的光; 标准化该第1反射光谱数据; 标准化该第2反射光谱数据;以及 决定终点,基于标准化之第1光谱数据与第2光谱数 据两者的差。2.如申请专利范围第1项之于化学机 械研磨制程之终点量测方法,其中,该第1光谱数据 包含对应各复数之波长的一强度程度。3.如申请 专利范围第2项之于化学机械研磨制程之终点量测 方法,其中,对应第1光谱的该复数之波长,包含范围 约300nm至720nm。4.如申请专利范围第3项之于化学机 械研磨制程之终点量测方法,其中,对应第1光谱的 该复数之波长,包含范围约200至520个数据点。5.如 申请专利范围第1项之于化学机械研磨制程之终点 量测方法,其中,标准化该第1反射光谱数据,包含实 质地移除对应之强度値。6.如申请专利范围第5项 之于化学机械研磨制程之终点量测方法,其中,实 质地移除对应之强度値,包含调整各复数之波长的 强度値,使各复数之波长的强度値的总和等于零, 以及各复数之波长的强度値的平方的总和等于1。 7.如申请专利范围第1项之于化学机械研磨制程之 终点量测方法,其中,决定终点,基于标准化之第1光 谱数据与第2光谱数据两者的差,包含决定一于第1 与第2光谱中至少复数波长之一部分的标准化强度 比率的变化。8.如申请专利范围第7项之于化学机 械研磨制程之终点量测方法,其中,包含决定一于 第1与第2光谱中至少复数波长之一部分的标准化 强度比率的变化,包含: 变换标准化之第1光谱数据为第1向量; 变换标准化之第2光谱数据为第2向量; 计算第1向量与第2向量间的距离; 决定是否第1向量与第2向量间的距离大于或等于 一临界距离;以及 若第1向量与第2向量间的距离大于或等于该临界 距离时,判定于第1与第2光谱中至少复数波长之一 部分的标准化强度比率有变化。9.一种化学机械 研磨制程装置,包含: 一研磨垫,具有一研磨垫狭长孔; 一平台,具有一平台狭长孔,在化学机械研磨制程 的特定点,该平台狭长孔可与该研磨垫狭长孔对准 ; 一宽频带光源,经由该平台狭长孔与研磨垫狭长孔 ,以复数触发,照射晶圆表面的一部分; 一光学侦测器,接收反射光谱,对应于各该复数之 触发,晶圆表面照射部分反射之复数光谱的光; 标准化第1反射光谱数据的逻辑,对应于第1触发; 标准化第2反射光谱数据的逻辑,对应于第2触发;以 及 决定终点的逻辑,基于标准化之第1反射光谱数据 与标准化之第2反射光谱数据的差。10.如申请专利 范围第9项之化学机械研磨制程装置,其中,基于标 准化之第1反射光谱数据与标准化之第2反射光谱 数据的差的决定终点的逻辑,包含决定第1与第2光 谱中至少复数波长之一部分的标准化强度比率有 变化的逻辑。11.如申请专利范围第10项之化学机 械研磨制程装置,其中,决定第1与第2光谱中至少复 数波长之一部分的标准化强度比率有变化,包含: 变换标准化之第1光谱数据为第1向量的逻辑; 变换标准化之第2光谱数据为第2向量的逻辑; 计算第1向量与第2向量间的距离的逻辑; 决定是否第1向量与第2向量间的距离大于或等于 一临界距离的逻辑;以及 若第1向量与第2向量间的距离大于或等于该临界 距离时,判定于第1与第2光谱中至少复数波长之一 部分的标准化强度比率有变化的逻辑。12.一种终 点量测系统,包含: 一宽频带光源,经由该平台狭长孔与研磨垫狭长孔 ,以复数触发,照射晶圆表面的一部分; 一光学侦测器,接收反射光谱,对应于各该复数之 触发,晶圆表面照射部分反射之复数光谱的光; 标准化第1反射光谱数据的逻辑,对应于第1触发; 标准化第2反射光谱数据的逻辑,对应于第2触发;以 及 决定终点的逻辑,基于标准化之第1反射光谱数据 与标准化之第2反射光谱数据的差。13.如申请专利 范围第12项之终点量测系统,其中,基于标准化之第 1反射光谱数据与标准化之第2反射光谱数据的差 的决定终点的逻辑,包含决定第1与第2光谱中至少 复数波长之一部分的标准化强度比率有变化的逻 辑。14.如申请专利范围第13项之终点量测系统,其 中,决定第1与第2光谱中至少复数波长之一部分的 标准化强度比率有变化,包含: 变换标准化之第1光谱数据为第1向量的逻辑; 变换标准化之第2光谱数据为第2向量的逻辑; 计算第1向量与第2向量间的距离的逻辑; 决定是否第1向量与第2向量间的距离大于或等于 一临界距离的逻辑;以及 若第1向量与第2向量间的距离大于或等于该临界 距离时,判定于第1与第2光谱中至少复数波长之一 部分的标准化强度比率有变化的逻辑。15.如申请 专利范围第12项之终点量测系统,其中,该第1光谱 数据包含对应各复数之波长的一强度程度。16.如 申请专利范围第15项之终点量测系统,其中,对应第 1光谱的该复数之波长,包含范围约300nm至720nm。17. 如申请专利范围第16项之终点量测系统,其中,对应 第1光谱的该复数之波长,包含范围约200至520个数 据点。18.如申请专利范围第12项之终点量测系统, 其中,标准化该第1反射光谱数据的逻辑,包含实质 地移除对应之强度値的逻辑。19.如申请专利范围 第18项之终点量测系统,其中,实质地移除对应之强 度値的逻辑,包含调整各复数之波长的强度値,使 各复数之波长的强度値的总和等于零,以及各复数 之波长的强度値的平方的总和等于1的逻辑。图式 简单说明: 图1A与图1B是横截面图,表示介电层于一般形成镶 嵌及双镶嵌内接金属线的制造过程。 图2A表示本发明的实施例之CMP系统,其中研磨垫会 随卷轴转动。 图2B表示本发明的实施例之终点量测系统。 图3表示本发明一实施例,于CMP制程中,受宽频带光 源照射的晶圆的一部分。 图4A是一流程图,说明本发明一实施例中,于CMP制程 决定终点的操作方法。 图4B是本发明一实施例中步骤450的流程图,计算于 第1与第2光谱中至少复数波长之一部分的强度比 率的变化。 图5A表示本发明一实施例中接收之反射光谱数据( 即触发)。 图5B表示本发明一实施例中标准化之反射光谱数 据(即标准化触发)。 图5C是一立体图,表示本发明一实施例中数个未标 准化触发。 图6与图7是本发明一实施例中图5C中的数据图。 图8与图9表示本发明一实施例中图5C增强的二维数 据图。 图10表示本发明一实施例中反射数据图,其中随时 间对波长的反射参数有变化,但相对于强度尚未标 准化。 图11表示本发明一实施例中反射数据图,其中强度 标准化之反射参数有变化。 图12是本发明一实施例中用以决定终点的操作方 法的流程图。 图13是本发明一实施例中材料移除制程的向量距 离平方(VD)图。 |
