| 主权项 |
1.一种量测物体位移至次奈米级解析度之设备,用 以量测一工件之面外变形量,其包含: 一雷射光产生器,用以产生同调的雷射光源; 一分光镜组,用以将该雷射光产生器产生之同调的 雷射光源分为二束雷射光束; 一全像片,用于记录该工件变形前后之影像,而形 成一干涉影像; 两导光元件,其一端连接于该分光镜组,分别地导 引该分光镜组所产生之二束雷射光束; 两空间滤波器,分别地连接于该两导光元件之另一 端,将光纤导线所导引二束雷射光束之一束入射该 工件后,再反射至该全像片,另一束直接入射该全 像片; 一黑白摄影机,用以撷取该全像片之干涉影像;以 及 一资讯处理器,连接于该黑白摄影机,将该干涉影 像转换成一灰阶値分布,藉此计算该工件之变形量 。2.依申请专利范围第1项之量测物体位移至次奈 米级解析度之设备,另包含: 一平行光镜组,配置于该空间滤波器与该工件之间 ,用以将该空间滤波器之雷射光束变成平行光束。 3.依申请专利范围第1项之量测物体位移至次奈米 级解析度之设备,另包含: 一物件平台,使该工件放置其上。4.依申请专利范 围第1项之量测物体位移至次奈米级解析度之设备 ,另包含: 一压电转换器,使该工件产生一变形量。5.依申请 专利范围第1项之量测物体位移至次奈米级解析度 之设备,其中该导光元件系为一平面镜组。6.依申 请专利范围第1项之量测物体位移至次奈米级解析 度之设备,其中该导光元件系为一光纤导管。7.依 申请专利范围第1项之量测物体位移至次奈米级解 析度之设备,其中该雷射光束系为氦氖雷射光。8. 依申请专利范围第1项之用于量测物体位移至次奈 米级解析度之设备,其中该黑白摄影机具有一电荷 耦合元件(charge coupled device;CCD)。9.一种量测物体 位移至次奈米级解析度之方法,包含下列步骤: 提供一雷射产生器,产生同调的雷射光源; 提供一分光镜组,将该雷射光产生器产生之同调的 雷射光源分为二束雷射光束; 提供两导光元件,其一端连接于该分光镜组,分别 地导引该分光镜组之二束雷射光束; 提供两空间滤波器、一工件、及一全像片,该两空 间滤波器分别地连接于两导光元件之另一端,将该 两导光元件所导引二束雷射光束之一束入射该工 件后,再反射至该全像片,另一束直接入射该全像 片; 于全像片记录该工件变形前后之影像,而形成一干 涉影像; 提供一黑白摄影机,撷取该全像片之干涉影像;以 及 提供一资讯处理器,连接于该黑白摄影机,将该干 涉影像转换成一灰阶値分布,藉此计算该工件之变 形量。10.依申请专利范围第9项之量测物体位移至 次奈米级解析度之方法,另包含下列步骤: 提供一平行光镜组,配置于该空间滤波器与该工件 之间,用以将该空间滤波器之雷射光束变成平行光 束。11.依申请专利范围第9项之量测物体位移至次 奈米级解析度之方法,另包含下列步骤: 提供一物件平台及一夹具,该夹具固定该工件于该 物件平台上。12.依申请专利范围第9项之量测物体 位移至次奈米级解析度之方法,另包含下列步骤: 提供一压电转换器,使该工件产生一变形量。13.依 申请专利范围第9项之量测物体位移至次奈米级解 析度之方法,其中该导光元件系为一平面镜组。14. 依申请专利范围第9项之量测物体位移至次奈米级 解析度之方法,其中该导光元件系为一光纤导管。 15.依申请专利范围第9项之量测物体位移至次奈米 级解析度之方法,其中该雷射光束一般系为氦氖雷 射光。16.依申请专利范围第9项之量测物体位移至 次奈米级解析度之方法,其中该黑白摄影机具有一 电荷耦合元件(charge coupled device;CCD)。17.一种干涉 影像之量测方法,其包括下列步骤: 提供一干涉影像; 利用一摄影机,撷取该干涉影像,并转换成一灰阶 値分布; 计算该干涉影像之灰阶数値的变化; 藉由该灰阶数値的变化,计算干涉影像之亮纹序数 値;以及 藉由该亮纹序数値,计算位移。图式简单说明: 第1图为根据本发明之一实施例之量测物体位移至 次奈米级解析度之设备之平面示意图。 第2图为根据本发明之一实施例之量测物体位移至 次奈米级解析度之设备之平面示意图。 第3图为根据本发明之一实施例之量测物体位移至 次奈米级解析度之设备之一干涉条纹图。 第4图为根据本发明之一实施例之量测物体位移至 次奈米级解析度之设备之虚像光强度与相位差之 关系图。 第5图为根据本发明之一实施例之量测物体位移至 次奈米级解析度之设备之灰阶値与工件之面外变 形量之关系图。 第6图为根据本发明之一实施例之量测物体位移至 次奈米级解析度之设备之一干涉条纹图,其显示该 干涉条纹亮纹序为1/2。 第7图为根据本发明之一实施例之量测物体位移至 次奈米级解析度之设备灰阶等位线之解析度示意 图。 第8图为根据本发明之另一实施例之量测物体位移 至次奈米级解析度之设备之配置示意图。 第9a图为根据本发明之第一实验之一干涉条纹图 。 第9b图为根据本发明之第一实验之一灰阶値分布 图。 第10a图为根据本发明之第二实验之一干涉条纹图 。 第10b图为根据本发明之第二实验之一灰阶値分布 图。 |
