| 主权项 |
1.一种曝光方法,其系与网线相对于曝光之光移动 者同步,而使晶圆相对于通过光学系统之曝光之光 移动,藉以对上述晶圆上之被曝光区域进行扫描并 曝光者,其特征为包含有以下步骤: 用以测定未被上述曝光之光所照射之计测区域之 关于上述光学系统光轴方向的位置分布; 将被测定的位置分布分离成倾斜成份与二次以上 之成份;以及 在上述曝光之光照射上述计测区域时,根据被分离 的倾斜成份,调整关于被曝光区域面之上述光学系 统光轴方向的位置,同时根据被分离之二次以上的 成份,校正上述光学系统之成像特性。2.一种曝光 方法,其系与网线相对于曝光之光移动者同步,而 使晶圆相对于通过光学系统之曝光之光移动,藉以 对上述晶圆上之被曝光区域进行扫描并曝光者,其 特征为包含有以下步骤: 用以测定未被上述曝光之光所照射之计测区域之 上述光学系统光轴方向的位置分布; 将被测定的计测区域之光轴方向的位置分布分离 成倾斜成份与二次以上之成份; 用以测定上述网线面之上述光学系统光轴方向的 位置分布; 将被测定之网线面之光轴方向的位置分离成倾斜 成份与二次以上之成份;以及 在上述曝光之光照射上述计测区域时,根据上述被 曝光区域面及网线面之倾斜成份,调整上述晶圆之 上述光学系统的光轴方向位置,同时根据上述被曝 光区域面及网线面之二次以上的成份,调整上述光 学系统之成像特性及上述网线面之位置的至少一 方。3.如申请专利范围第1或2项之曝光方法,其中 上述成像特性,系藉由调整像面弯曲特性所成者。 4.如申请专利范围第1或2项之曝光方法,其中上述 成像特性,系在投影于上述晶圆上时,调整于抵消 上述被曝光区域面之位置之二次以上成份的方向 上者。5.如申请专利范围第1或2项之曝光方法,其 中上述计测区域之位置分布的测定,系在对上述晶 圆进行扫描并曝光前就被事先进行者。6.如申请 专利范围第1或2项之曝光方法,其系使用于半导体 装置之制造方法。7.一种曝光装置,其特征为包含 有: 光学系统,将形成于网线上的图案像投影在晶圆上 ; 网线载置台,搭载有上述网线,可移动于与上述光 学系统之光轴方向呈垂直的方向上; 晶圆载置台,搭载有上述晶圆,可移动于上述光学 系统之光轴方向及与上述光学系统之光轴方向呈 垂直的方向上; 晶圆面位置测定机构,测定上述晶圆面之上述光学 系统光轴方向的位置; 演算机构,将依该晶圆面位置测定机构所得的测定 値分离成倾斜成份与二次以上之成份; 调整机构,根据该演算机构所分离的倾斜成份,调 整上述晶圆之上述光学系统的光轴方向位置;以及 校正机构,根据上述演算机构所分离的二次以上之 成份,校正上述光学系统之成像特性。8.一种曝光 装置,其特征为包含有: 光学系统,将形成于网线上的图案像投影在晶圆上 ; 网线载置台,搭载有上述网线,可移动于上述光学 系统之光轴方向及与上述光轴方向呈垂直的方向 上; 晶圆载置台,搭载有上述晶圆,可移动于上述光学 系统之光轴方向及与上述光学系统之光轴方向呈 垂直的方向上; 晶圆面位置测定机构,测定上述晶圆面之上述光学 系统光轴方向的位置; 网线面位置测定机构,测定上述网线面之上述光学 系统光轴方向的位置; 演算机构,将由该晶圆面位置测定机构、及网线面 位置测定机构之双方所得的测定値分离成倾斜成 份与二次以上之成份; 调整机构,根据上述倾斜成份,调整上述晶圆之上 述光学系统的光轴方向位置;以及 校正机构,根据上述二次以上之成份,校正上述光 学系统之成像特性、及配置于上述网线载置台上 之微小上下动机构的至少一方。9.如申请专利范 围第7或8项之曝光装置,其中上述校正机构,系校正 像面弯曲特性者。10.如申请专利范围第7或8项之 曝光装置,其中上述校正机构,系在投影于上述晶 圆上时,将上述晶圆之上述光学系统的光轴方向位 置校正于抵消上述二次以上之成份的値之方向上 者。图式简单说明: 图1系显示第一实施形态之曝光装置之概略构成的 示意图。 图2系显示用于说明第一实施形态之曝光方法的流 程图。 图3(a)~(c)系用于说明对于具有二次以上之弯曲成 份的晶圆,以习知曝光方法进行曝光之情况的示意 图。 图4(a)~(c)系用于说明对于具有二次以上之弯曲成 份的晶圆,以第一实施形态之曝光方法进行曝光的 情况之示意图。 图5系显示第一实施形态之曝光装置之概略构成的 示意图。 图6(a)~(c)系显示检查第二实施形态之畸变较大之 网线时的网线形状之示意图 图7(a)~(c)系显示配置于第二实施形态之网线载置 台、夹头、及配置于夹头下部之微小上下动机构 的示意图。 图8(a)、(b)系显示依夹头下部之微小上下动机构而 造成网线之变形状态的示意图。 图9(a)~(c)系用于说明依夹头下部之微小上下动机 构而进行之曝光方法的示意图。 图10系显示用于第三实施形态之曝光方法的流程 图。 图11系显示习知扫描型曝光装置之概略构成的示 意图。 图12(a)~(c)系用于说明对于没有二次以上之弯曲成 份的晶圆,以习知曝光方法进行曝光之情况的示意 图。 |
