发明名称 发光装置及其制造方法
摘要 传输水蒸气并容易吸收湿气系适于层间绝缘膜之有机材料的特性,并且此材料具有一个缺点,即无论它是低分于还是高分子,它非常容易受到氧气和湿气的影响而退化。此外,采用硷金族金属或硷土族金属被使用于发光元件的正电极或负电极,并且这些金属容易受到氧的氧化。因此,湿气是造成发光元件之退化和造成像黑点等缺陷的原因。提供一种发光装置,其包括一层间绝缘膜、一发光元件和一无机绝缘膜或碳膜,该层间绝缘膜包括一高分子化合物,并且被形成在形成于一绝缘表面上的TFT之上,该发光元件被设置于层间绝缘膜上,且其中,一包括有机化合物之发光层被形成在一对电极之间,该无机绝缘膜包含矽和氮作为其主要成分,碳膜具有SP3键合且含有氢,并被形成在层间绝缘膜与发光元件之间。
申请公布号 TW588570 申请公布日期 2004.05.21
申请号 TW091113161 申请日期 2002.06.17
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 高山彻;山形裕和;高良昭彦;山崎舜平
分类号 H05B33/14;H01L29/786 主分类号 H05B33/14
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种发光装置,包括: 一薄膜电晶体,形成于一绝缘表面之上; 一层间绝缘膜,形成于薄膜电晶体之上,并且包括 有机材料; 一发光元件,形成于层间绝缘膜之上,并且具有一 发光层在一对电极之间; 一无机绝缘膜,形成在层间绝缘膜与发光元件之间 ,该无机绝缘膜包括矽和氮作为其主要成分, 其中,无机绝缘膜包含含量为至少25.0atomic%且最多 35.0atomic%的矽和含量为至少35.0atomic%且最多65.0 atomic%的氮。2.如申请专利范围第1项之装置,其中, 该发光装置包括EL显示装置。3.如申请专利范围第 1项之装置,其中,该发光装置被使用在一电子设备 中,而该电子设备系选自由个人电脑、视频摄影机 、可携式资讯终端、数位照相机、数位视频碟片 播放器和投射装置所组成的群组中。4.一种发光 装置,包括: 一薄膜电晶体,形成于一绝缘表面之上; 一层间绝缘膜,形成于薄膜电晶体之上,并且包括 有机材料; 一发光元件,形成于层间绝缘膜之上,并且具有一 发光层在一对电极之间; 一无机绝缘膜,形成在层间绝缘膜与发光元件之间 ,该无机绝缘膜包括矽和氮作为其主要成分, 其中,具有SP3键合且含有氢之碳膜被形成在层间绝 缘膜与发光元件之间。5.如申请专利范围第4项之 装置,其中,碳膜包括类金刚石碳。6.如申请专利范 围第4项之装置,其中,发光装置包括EL显示装置。7. 如申请专利范围第4项之装置,其中,该发光装置被 使用在一电子设备中,而该电子设备系选自由个人 电脑、视频摄影机、可携式资讯终端、数位照相 机、数位视频碟片播放器和投射装置所组成的群 组中。8.一种发光装置之制造方法,包括: 形成一层间绝缘膜于一薄膜电晶体上,而该层间绝 缘膜包括有机材料; 藉由溅射方法而形成一无机绝缘膜于该层间绝缘 膜上,该无机绝缘膜包括含量为至少25.0atomic%且最 多35.0atomic%的矽和含量为至少35.0atomic%且最多65.0 atomic%的氮,以及 形成一发光元件于该无机绝缘膜上,而该发光元件 具有一发光层在一对电极之间。9.如申请专利范 围第8项之方法,其中,包括有机材料之该层间绝缘 膜系藉由涂敷方法来予以形成的。10.如申请专利 范围第8项之方法,其中,该发光装置包括EL显示装 置。11.如申请专利范围第8项之方法,其中,该发光 装置被使用在一电子设备中,而该电子设备系选自 由个人电脑、视频摄影机、可携式资讯终端、数 位照相机、数位视频碟片播放器和投射装置所组 成的群组中。12.一种发光装置之制造方法,包括: 形成一层间绝缘膜于一薄膜电晶体上,而该层间绝 缘膜包括有机材料; 使用溅射方法,以形成一碳膜于该层间绝缘膜上, 而该碳膜具有SP3键合且含有氢; 形成一发光元件于该碳膜上,其中,一发光层被形 成在一对电极之间。13.如申请专利范围第12项之 方法,其中,包括有机材料之该层间绝缘膜系藉由 涂敷方法来予以形成的。14.如申请专利范围第12 项之方法,其中,该碳膜包括类金刚石碳。15.如申 请专利范围第12项之方法,其中,该发光装置包括EL 显示装置。16.如申请专利范围第12项之方法,其中, 该发光装置被使用在一电子设备中,而该电子设备 系选自由个人电脑、视频摄影机、可携式资讯终 端、数位照相机、数位视频碟片播放器和投射装 置所组成的群组中。图式简单说明: 图1显示氮化矽膜和氮氧化矽膜的透射率的图,利 用溅射方法沉积制造膜; 图2A-2C是说明本发明的在发光元件中采用半导体 装置的制造的方法; 图3A-3C是说明本发明的在发光元件中采用半导体 装置的制造的方法; 图4A-4D是说明本发明的在发光元件中采用半导体 装置的制造的方法; 图5A-5D是说明本发明的在发光元件中采用半导体 装置的制造的方法; 图6A-6B是说明采用本发明的EL显示装置; 图7是说明图素部分的结构图; 图8A是说明图素部分的结构图,图8B是电路图; 图9是说明图素部分的结构图; 图10A-10E是说明本发明的在发光元件中采用半导体 装置的制造的方法; 图11A-11B是说明测量条件,在该条件下测量利用溅 射方法沉积的氮化矽膜的阻挡湿气的效果; 图12是说明利用溅射方法沉积的氮化矽膜的阻挡 湿气的效果图; 图13A-13B是说明利用溅射方法沉积的氮化矽膜的阻 挡Li的效果图。
地址 日本