| 主权项 |
1.一种用以制造聚烯烃的方法,其特征为其包含: (a)合并触媒先质和辅助触媒,触媒先质包括二金属 触媒先质(包括过渡金属的非二茂金属化合物和二 茂金属化合物)及辅助触媒(包括有机铝组份和经 修饰的甲基铝氧烷组份),以得到活化触媒; (b)使活化触媒与烯烃单体于聚合条件下接触而形 成聚烯烃; (c)定出聚烯烃的至少一个产物参数;及 (d)以比较产物参数和目标产物参数为基础,改变有 机铝组份与经修饰的甲基铝氧烷组份比例。2.如 申请专利范围第1项之方法,其中,至少一个产物参 数包含熔流率,目标产物参数包含目标熔流率。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中,熔流率是流动 指数I21.6。4.如申请专利范围第2项之方法,其中,以 产物参数为基础,包含比较熔流率和目标熔流率, 改变有机铝组份与经修饰的甲基铝氧烷组份之比 例。5.如申请专利范围第2项之方法,其中,以产物 参数为基础,改变有机铝组份与经修饰的甲基铝氧 烷组份之比例,包含下列至少一者: (d1)熔流率低于目标熔流率时,提高有机铝组份与 经修饰的甲基铝氧烷组份之比例;及 (d2)熔流率高于目标熔流率时,降低有机铝组份与 经修饰的甲基铝氧烷组份之比例。6.如申请专利 范围第1项之方法,其中,聚烯烃包含较高分子量聚 合物组份和较低分子量聚合物组份,至少一个产物 参数包含较高分子量聚合物组份的重量分率,目标 产物参数包含较高分子量聚合物组份的目标重量 分率。7.如申请专利范围第6项之方法,其中,以产 物参数为基础,改变有机铝组份与经修饰的甲基铝 氧烷组份之比例,包含:较高分子量组份的重量分 率高于目标重量分率时,提高有机铝组份与经修饰 的甲基铝氧烷组份之比例,或者,较高分子量组份 的重量分率低于目标重量分率时,降低有机铝组份 与经修饰的甲基铝氧烷组份之比例。8.如申请专 利范围第1项之方法,其中,接触、测定和改变分别 进行至少两次。9.如申请专利范围第1项之方法,其 中,有机铝组份包含至少一种三烷基铝化合物。10. 如申请专利范围第9项之方法,其中,三烷基铝化合 物包含三甲基铝、三乙基铝、三丙基铝、三丁基 铝、三异丁基铝、三己基铝和三辛基铝中之至少 一者。11.如申请专利范围第1项之方法,其中,有机 铝组份中的铝与经修饰的甲基铝氧烷组份中的铝 之莫耳比范围是0.1至50。12.如申请专利范围第1项 之方法,其中,二金属触媒先质包含非二茂金属组 份,包含钛、锆、铪、钒、铌和钽中之至少一者及 二茂金属组份包含钛、锆和铪中之至少一者的至 少一种二茂金属。13.如申请专利范围第12项之方 法,其中,二金属触媒先质包含非二茂金属组份包 含钛和钒中之至少一者及二茂金属组份包含锆的 至少一种二茂金属。14.如申请专利范围第1项之方 法,其中,烯烃单体包含至少80重量%乙烯。15.如申 请专利范围第14项之方法,其中,烯烃单体另包含至 少一种C3-C10-烯烃单体。16.如申请专利范围第1 项之方法,其中,至少一种产物参数另包含熔流比, 目标产物参数另包含目标熔流比。17.如申请专利 范围第16项之方法,其中,熔流比是I21.6/I2.16。18.一 种用以制造具有目标熔流率之聚烯烃的方法,其特 征为其包含: (a)合并触媒先质和辅助触媒,触媒先质包括二金属 触媒先质(包括过渡金属的非二茂金属化合物和二 茂金属化合物)及辅助触媒(包括有机铝组份和经 修饰的甲基铝氧烷组份),以得到活化触媒; (b)使活化触媒与烯烃单体于聚合条件下接触而形 成聚烯烃; (c)定出聚烯烃的熔流率;及 (d)熔流率低于目标熔流率时,提高有机铝组份与经 修饰的甲基铝氧烷组份之比例,或者,熔流率高于 目标熔流率时,降低有机铝组份与经修饰的甲基铝 氧烷组份之比例。19.如申请专利范围第18项之方 法,其中,熔流率是流动指数I21.6。20.如申请专利范 围第18项之方法,其中,接触、测定和改变分别进行 至少两次。21.如申请专利范围第18项之方法,其中, 有机铝组份包含至少一种三烷基铝化合物。22.如 申请专利范围第21项之方法,其中,三烷基铝化合物 包含三甲基铝、三乙基铝、三丙基铝、三丁基铝 、三异丁基铝、三己基铝和三辛基铝中之至少一 者。23.如申请专利范围第18项之方法,其中,二金属 触媒先质包含非二茂金属组份包含钛、锆、铪、 钒、铌和钽中之至少一者及二茂金属组份包含钛 、锆和铪中之至少一者的至少一种二茂金属。24. 如申请专利范围第23项之方法,其中,二金属触媒先 质包含非二茂金属组份包含钛和钒中之至少一者 及二茂金属组份包含锆的至少一种二茂金属。25. 如申请专利范围第18项之方法,其中,烯烃单体包含 至少80重量%乙烯。26.如申请专利范围第18项之方 法,其中,烯烃单体另包含至少一种C3-C10-烯烃单 体。27.一种用以制造包含较高分子量聚合物组份 和较低分子量聚合物组份并具有较高和较低分子 量聚合物组份之目标重量分率的聚烯烃之方法,其 特征为其包含: (a)合并触媒先质和辅助触媒,触媒先质包括二金属 触媒先质(包括过渡金属的非二茂金属化合物和二 茂金属化合物)及辅助触媒(包括有机铝组份和经 修饰的甲基铝氧烷组份),以得到活化触媒; (b)使活化触媒与烯烃单体于聚合条件下接触而形 成聚烯烃; (c)测定较高分子量聚合物组份和较低分子量聚合 物组份中之至少一者的重量分率;及 (d)改变有机铝组份与经修饰的甲基铝氧烷组份之 比例:较高分子量组份的重量分率高于目标重量分 率时,提高有机铝组份与经修饰的甲基铝氧烷组份 之比例,或者,较高分子量组份的重量分率低于目 标重量分率时,降低有机铝组份与经修饰的甲基铝 氧烷组份之比例。28.如申请专利范围第27项之方 法,其中,接触、测定和改变分别进行至少两次。29 .如申请专利范围第27项之方法,其中,有机铝组份 包含至少一种三烷基铝化合物。30.如申请专利范 围第29项之方法,其中,三烷基铝化合物包含三甲基 铝、三乙基铝、三丙基铝、三丁基铝、三异丁基 铝、三己基铝和三辛基铝中之至少一者。31.如申 请专利范围第27项之方法,其中,二金属触媒先质包 含非二茂金属组份包含钛、锆、铪、钒、铌和钽 中之至少一者及二茂金属组份包含钛、锆和铪中 之至少一者的至少一种二茂金属。32.如申请专利 范围第31项之方法,其中,二金属触媒先质包含非二 茂金属组份包含钛和钒中之至少一者及二茂金属 组份包含锆的至少一种二茂金属。33.如申请专利 范围第27项之方法,其中,烯烃单体包含至少80重量% 乙烯。34.如申请专利范围第27项之方法,其中,烯烃 单体另包含至少一种C3-C10-烯烃单体。35.一种用 以制造具有目标熔流率之聚乙烯共聚物之的方法, 其特征为其包含: (a)合并: (i)二金属触媒先质,包含: (A)钛和钒中之至少一者的非二茂金属化合物,和 (B)锆的二茂金属化合物,及 (ii)辅助触媒,包含: (A)有机铝化合物,选自三甲基铝、三乙基铝、三丙 基铝、三丁基铝、三异丁基铝、三己基铝和三辛 基铝,和 (B)经修饰的甲基铝氧烷, 以得到活化触媒; (b)使活化触媒与单体于聚合条件下接触而形成聚 烯烃,此单体包含80-99重量%乙烯和1-20重量%至少一 种C3-C10-烯烃单体; (c)定出聚烯烃的熔流率;及 (d)熔流率低于目标熔流率时,提高有机铝与经修饰 的甲基铝氧烷之比例,或者,熔流率高于目标熔流 率时,降低有机铝与经修饰的甲基铝氧烷之比例。 36.一种用以制造包含较高分子量聚合物组份和较 低分子量聚合物组份并具有较高和较低分子量聚 合物组份之目标重量分率的聚烯烃之方法,其特征 为其包含: (a)合并: (i)二金属触媒先质,包含: (A)钛和钒中之至少一者的非二茂金属化合物,和 (B)锆的二茂金属化合物,及 (ii)辅助触媒,包含: (A)有机铝化合物,选自三甲基铝、三乙基铝、三丙 基铝、三丁基铝、三异丁基铝、三己基铝和三辛 基铝,和 (B)经修饰的甲基铝氧烷, 以得到活化触媒; (b)使活化触媒与单体于聚合条件下接触而形成聚 乙烯,此单体包含80-99重量%乙烯和1-20重量%至少一 种C3-C10-烯烃单体; (c)定出较高分子量聚合物组份的重量分率;及 (d)改变有机铝组份与经修饰的甲基铝氧烷组份之 比例:较高分子量组份的重量分率高于目标重量分 率时,提高有机铝与经修饰的甲基铝氧烷之比例, 或者,较高分子量组份的重量分率低于目标重量分 率时,降低有机铝与经修饰的甲基铝氧烷之比例。 图式简单说明: 附图1.2和3分别是实例4.5和6中制得的聚合物之凝 胶渗透层析术(GPC)层析图,其显示有机铝:MMAO莫耳 比对于自根据实例2制得的触媒先质制得的聚乙烯 MWD之影响。 附图4和5分别是实例7和8制得的聚合物之GPC层析图 ,其显示有机铝:MMAO莫耳比对于自根据实例3制得的 触媒先质制得的聚乙烯MWD之影响。 |
