| 主权项 |
1.一种聚合物,其包含以下通式(1a)、(1b)及(1c)中至 少一项重覆单位: 其中R系选自一类群而此类群系由氢、对酸不稳定 的基团、直链的、分枝的或环状的或氟化之带有1 至20个碳原子的烷基基团、醯基基团、及带有氟 化的烷基部分之醯基基团所组成,R1及R2各自为氢 或氟原子,R3为对酸不稳定的基团,R4为胶黏性基团, 且R5为直链的、分枝的或环状或氟化之带有1至20 个碳原子的烷基基团, 该R3所示对酸不稳定的基团系选自式(2)、式(3)、 具有式(4)之带有4至40碳原子之第三烷基、烷基部 分具有1至6碳原子之三烷基矽烷基、及带有4至20 碳原子之氧烷基, 其中X为直链、分枝或环状之带有1至20碳原子之伸 烷基,R6为烷基部分具有1至6碳原子之三烷基矽烷 基,或式(3)或式(4)之有机基团, R7及R8为氢、或者直链、分枝或环状之带有1至18碳 原子之烷基,R9为可含有杂原子之带有1至18碳原子 之单价烃基,R7与R8.R7与R9.或者R8与R9一起可形成一 环,当形成一环时,R7.R8及R9个别为直链或分枝之带 有1至18碳原子之伸烷基, R10.R11及R12分别为直链、分枝或环状之带有1至20碳 原子之烷基,其可包含如氧、硫、氮或氟之杂原子 ,R10与R11.R10与R12.或R11与R12一起可形成一环,以及 该R4所示之胶黏性基团系选自下式(21)至(48):2.如申 请专利范围第1项之聚合物,其中式(4)所示之第三 烷基系选自第三丁基、三乙基二价碳基、1-乙基 原冰片烷基、1-甲基环己基、1-乙基环戊基、2-(2- 甲基)金刚烷基、2-(2-乙基)金刚烷基、第三戊基、 及下式(5)至(20)之基团: 其中R13为直链、分枝或环状之带有1至6碳原子之 烷基, R14为为直链、分枝或环状之带有2至6碳原子之烷 基, 以及R15及R16个别为氢或可包含一杂原子之带有1至 6碳原子之单价烃基、或可经由一杂原子而分开之 带有1至6碳原子之单价烃基。3.一种化学放大的正 型光阻组成物,其包含 (A)如申请专利范围第1项之聚合物, (B)有机溶剂,及 (C)光酸产生剂, 其中光酸产生剂系选自盐、重氮基甲烷衍生物 、乙二(glyoxime)衍生物、-酮衍生物、二 衍生物、硝基基磺酸酯衍生物、磺酸酯衍生物 、及亚胺醯基磺酸酯衍生物, 有机溶剂之用量为可溶解该聚合物及光酸产生剂 之量,以及 光酸产生剂之用量以100重量份聚合物计为0.2至15 重量份。4.如申请专利范围第3项之光阻组成物,其 中进一步的包含(D)硷性化合物。5.如申请专利范 围第3项或第4项之光阻组成物,其中进一步的包含( E)溶解抑制剂。6.一种用以形成光阻图案之方法, 其包含下列步骤: 将如申请专利范围第3项至第5项中任何一项的光 阻组成物施用在基材上以形成涂层, 将此涂层在60至200℃下作热处理,且然后经由光罩 将彼曝光于波长在110至180nm或1至30nm的高能量辐射 线,且视需要地将此曝光涂层在60至150℃下作热处 理且用显影剂将彼作显影。7.如申请专利范围第6 项之图案成形方法,其中高能量辐射线为F2激发器 雷射光、Ar2激发器雷射光或软性X-射线。 |
