| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和平板型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。平板型电容器的电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)遍及和浅沟渠分离(12a)共有的沟渠设置，用电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)填于沟渠上部。为储存节点的n型扩散层(19)的端部沿着沟渠上部的侧面形成到和浅沟渠分离(12a)重叠的区域。不增加衬底面积而使起作用作为电容器的部分的面积增大。 | ||
| 申请公布号 | CN1498424A | 申请公布日期 | 2004.05.19 |
| 申请号 | CN03800148.9 | 申请日期 | 2003.02.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小川久;中冈弘明;柁谷敦宏;桥本伸;江头恭子 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/10 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 张立岩 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征为：具备：半导体衬底；凹部：形成于上述半导体衬底上；存储单元晶体管：具有设于上述半导体衬底上的栅极及栅极绝缘膜和设在上述半导体衬底内的上述栅极两侧的源极、漏极扩散层；及电容器：具有横跨上述半导体衬底上面和上述凹部的至少一部分且由和上述存储单元晶体管的栅极共同的导体膜形成的板形电极及设于上述板形电极下方的电容绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||